單晶氮化鎵材料基板製作方法
 專利名稱 |
單晶氮化鎵材料基板製作方法 |
| 申請日 (校編號) |
2006/07/20 (095025TW) |
| 專利證書號 |
I316567 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
綦振瀛、陳冠廷 |
| 技術摘要： |
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| 一種單晶氮化鎵材料基板製作方法，其包含(a)取一基板；(b)將氧化物奈米柱成長於基板上；(c)將氮化鎵材料成長在氧化物奈米柱上，並使氮化鎵材料於氧化物奈米柱頂端相連成長，形成具氮化鎵基板之結構；以及(d)將具氮化鎵基板之結構加入蝕刻溶液，蝕刻氧化物奈米柱，使該基板與氮化鎵基板分離等步驟。如此，藉由簡易的蝕刻法將氮化鎵基板與基板分離，可降低製作成本。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明之主要目的係在於，提供一單晶氮化鎵材料及其基板製作方法，藉由簡易的蝕刻法蝕刻介質層來分離氮化鎵基板與矽基板，使得分離製程大幅簡化，降低製作成本。
本發明的再一目的就是在提供一種單晶氮化鎵材料基板的製作方法，該單晶氮化鎵材料基板為低缺陷密度晶體，因此氮化鎵材料元件成長在該基板上可以使得晶格常數與晶格結構相互匹配，具備優良的元件特性。
本發明的又一目的就是在提供一種單晶氮化鎵材料基板的製作方法，該單晶氮化鎵材料基板具有優良的散熱效果，可以使得操作在高功率的氮化鎵材料元件具有良好的散熱特性，提升穩定度及壽命。 |
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| 應用領域： |
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| 發光二極體、光電半導體 |
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| 適用產品： |
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| LED |
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| IPC： |
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| C30B-029/38(2006.01);H01L-021/20(2006.01);
C30B-029/38(2006.01);H01L-021/205(2006.01);H01L-033/00(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種單晶氮化鎵材料基板製作方法，其至少包括下列步驟：(a)取一基板；(b)將一氧化物奈米柱成長於該基板上；(c)將一氮化鎵材料成長於該氧化物奈米柱上，形成具有氮化鎵基板之結構；以及(d)將具氮化鎵基板之結構加入一蝕刻溶液，蝕刻該氧化物奈米柱，使該基板與氮化鎵基板分離。 |
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