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技術摘要：

一種平面結構氮化鎵雙極性電晶體與n型/p型金半場效電晶體之結構與製程整合方法,可同時製出平面結構氮化鎵雙極性電晶體及n型/p型金半場效電晶體。在製作雙極性電晶體n型反轉區(射極區)之離子佈植或離子擴散製程時,藉光罩的設計,同時離子佈植或離子擴散到n型金半場效電晶體的n型通道區。即n型金半場效電晶體的n型通道區亦利用離子佈植或離子擴散方式製成,而在沒有離子佈植或離子擴散的p型氮化鎵區域,也同時製p型金半場效電晶體。達相同的氮化鎵長晶層上,同時製出平面結構的雙極性電晶體與n型/p型金半場效電晶體。

解決的問題或達成的功效：

本發明係提供一種平面結構氮化鎵雙極性電晶體與n型/p型金半場效電晶體之結構與製程整合方法，尤指其技術上在相同的氮化鎵長晶層上，同時製作出平面結構的雙極性電晶體與n型/p型金半場效電晶體。

應用領域：

無線通訊領域

適用產品：

半導體製造技術

IPC：

H01L-029/772(2006.01)

Claim 1：

1.一種平面結構氮化鎵雙極性電晶體與n型/p型金半場效電晶體之結構,該結構包括: (a)一長晶基板; (b)成長於長晶基板之平面結構的氮化鎵雙極性電晶體(BJT),包括: 一低摻雜的n型集極層,形成於長晶基板層上; 一高摻雜的p型基極層,形成於低摻雜的集極層上; 一高摻雜的n型射極井區,形成於高摻雜的p型基極層中; 一高摻雜的n型集極接觸井區,形成於高摻雜的p型基極層中; 射極金屬電極、基極金屬電極、集極金屬電極分別形成於該射極井區、基極層、集極接觸井區上; (c)成長於長晶基板之n型金半場效電晶體(MESFET),包括: 一低摻雜的n型基板層,形成於長晶基板之上; 一高摻雜的p型埋藏層,形成於低摻雜的基板層之上; 一高摻雜的n型通道區,形成於高摻雜的p型埋藏層中; 閘極蕭基金屬電極、汲極金屬電極、源極金屬電極全部皆形成於高摻雜的n型通道區之上; (d)成長於長晶基板之p型金半場效電晶體(MESFET),包括: 一低摻雜的n型埋藏層,形成於長晶基板之上; 一高摻雜的p型通道層,形成於低摻雜的埋藏層之上; 閘極蕭基金屬電極、汲極金屬電極、源極金屬電極全部皆形成於高摻雜的p型通道層之上。

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專利名稱	平面結構氮化鎵雙極性電晶體與n型／p型金半場效電晶體之結構與製程整合方法 METHOD OF FORMING A PLANAR COMBINED STRUCTURE OF A BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND N-TYPE AND P-TYPE METAL SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND METHOD FOR FORMING THE SAME
申請日 (校編號)	2008/08/12 (095039US) 2006/11/07 (095039TW)
專利證書號	7,759,172　美國 I312191　中華民國
專利權人	國立中央大學
發明人	辛裕明、許進恭、薛光博