一、專利資訊：
　　中華民國專利證書號：I555222
　　專利名稱：具超淺接面層光伏電池製造方法

二、摘要說明：
　　本發明為有關一種具超淺接面層光伏電池製造方法，其製造步驟流程為包括清潔後之結晶矽基板以電子迴旋共振高密度電漿法，在結晶矽基板溫度為50℃~250℃、微波功率約500W、沉積壓力為50mTorr以下、氬氣、氫氣流量約為20sccm、SiH4流量約為1~2sccm及2%乙硼烷流量約為5~15sccm之製備條件下，成長厚度為5~80nm且能隙約為1.12eV之第一摻雜半導體層，因具有陡峭同質磊晶接面、超薄化高結晶率矽基薄膜、高摻雜濃度、高電導率及高短路電流之優點，故得以提高產品之效率。

三、發明人：張正陽/光電科學與工程學系

四、廠商資格：
　　1.產業類別：化學及精密化學產業
　　2.應有之研究或技術人員：化學及精密化學技術人員
　　3.其他條件：無特殊限制
　　4.其餘應符合本校技術移轉相關規定。

五、申請方式：逕向研發處產學營運中心詢問相關資訊。

六、申請截止日期：107年5月22日17時00分止

聯 絡 人：林茂源技術經理
聯絡電話：03-4227151轉27079
電子郵件：mileslin@g.ncu.edu.tw