集極在上的異質結構雙載子電晶體及其製造方法
 專利名稱 |
集極在上的異質結構雙載子電晶體及其製造方法 |
| 申請日 (校編號) |
2005/08/09 (094005TW) |
| 專利證書號 |
I276152 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
辛裕明、許宏造 |
| 技術摘要： |
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| 一種集極在上的異質結構雙載子電晶體，包括一層射極副層與一結構層，而結構層具有一內部區域以及包圍內部區域的一外部區域。結構層包括射極層、基極層、集極層、障礙層以及集極接觸層。在外部區域的射極層與射極副層之間加入一障礙層，能有效阻隔外部區域的射極層呈現與基極層之間的電流導通，同時在外部區域的射極層呈現空乏狀態情況下，使注入載子順利經由內部區域進入集極層，以維持理想的電流增益值。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明是有關於一種異質接面雙載子電晶體(heterojunction bipolar transistors，HBTs)及其製造方法，且特別是有關於一種集極在上(collector－up)型態的異質接面雙載子電晶體及其製造方法 |
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| 應用領域： |
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| 適用產品： |
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| 半導體製造技術 |
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| IPC： |
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| H01L-021/02(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種集極在上的異質結構雙載子電晶體,包括:
一射極副層;以及
一結構層,位於該射極副層上,該結構層具有一內部區域以及包圍該內部區域的一外部區域,其中該結構層包括:
一射極層;
一基極層,位於該射極層上;
一集極層,位於該內部區域的該基極層上;
一障礙層,形成於該外部區域的該射極層與該射極副層之間,以使該射極層的該外部區域呈現空乏狀態;以及
一集極接觸層,位於該集極層上。 |
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| 聯繫方式 |
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