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集極在上的異質結構雙載子電晶體及其製造方法 |
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2005/08/09 (094005TW) |
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I276152 中華民國 |
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國立中央大學 |
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辛裕明、許宏造 |
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一種集極在上的異質結構雙載子電晶體,包括一層射極副層與一結構層,而結構層具有一內部區域以及包圍內部區域的一外部區域。結構層包括射極層、基極層、集極層、障礙層以及集極接觸層。在外部區域的射極層與射極副層之間加入一障礙層,能有效阻隔外部區域的射極層呈現與基極層之間的電流導通,同時在外部區域的射極層呈現空乏狀態情況下,使注入載子順利經由內部區域進入集極層,以維持理想的電流增益值。 |
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本發明是有關於一種異質接面雙載子電晶體(heterojunction bipolar transistors,HBTs)及其製造方法,且特別是有關於一種集極在上(collector-up)型態的異質接面雙載子電晶體及其製造方法 |
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半導體製造技術 |
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H01L-021/02(2006.01) |
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1.一種集極在上的異質結構雙載子電晶體,包括:
一射極副層;以及
一結構層,位於該射極副層上,該結構層具有一內部區域以及包圍該內部區域的一外部區域,其中該結構層包括:
一射極層;
一基極層,位於該射極層上;
一集極層,位於該內部區域的該基極層上;
一障礙層,形成於該外部區域的該射極層與該射極副層之間,以使該射極層的該外部區域呈現空乏狀態;以及
一集極接觸層,位於該集極層上。 |
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