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集極在上的異質結構雙載子電晶體及其製造方法
專利名稱 集極在上的異質結構雙載子電晶體及其製造方法
申請日 (校編號) 2005/08/09  (094005TW)
專利證書號 I276152 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 辛裕明、許宏造


技術摘要:
一種集極在上的異質結構雙載子電晶體,包括一層射極副層與一結構層,而結構層具有一內部區域以及包圍內部區域的一外部區域。結構層包括射極層、基極層、集極層、障礙層以及集極接觸層。在外部區域的射極層與射極副層之間加入一障礙層,能有效阻隔外部區域的射極層呈現與基極層之間的電流導通,同時在外部區域的射極層呈現空乏狀態情況下,使注入載子順利經由內部區域進入集極層,以維持理想的電流增益值。

解決的問題或達成的功效:
本發明是有關於一種異質接面雙載子電晶體(heterojunction bipolar transistors,HBTs)及其製造方法,且特別是有關於一種集極在上(collector-up)型態的異質接面雙載子電晶體及其製造方法

應用領域:


適用產品:
半導體製造技術

IPC:
H01L-021/02(2006.01)

Claim 1:
1.一種集極在上的異質結構雙載子電晶體,包括: 一射極副層;以及 一結構層,位於該射極副層上,該結構層具有一內部區域以及包圍該內部區域的一外部區域,其中該結構層包括: 一射極層; 一基極層,位於該射極層上; 一集極層,位於該內部區域的該基極層上; 一障礙層,形成於該外部區域的該射極層與該射極副層之間,以使該射極層的該外部區域呈現空乏狀態;以及 一集極接觸層,位於該集極層上。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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