控制接點微結構的方法METHOD OF FORMING BOND MICROSTRUCTURE
 專利名稱 |
控制接點微結構的方法METHOD OF FORMING BOND MICROSTRUCTURE |
| 申請日 (校編號) |
2003/12/16 (092021TW) |
| 專利證書號 |
I229911 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
高振宏、蔡瑞云、張建偉 |
| 技術摘要： |
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| 一種控制接點微結構的方法，此方法係先於二主體上形成一錫層及一金層，且錫：金的重量百分比為20%：80%(±3~4%)。接著以一第一溫度或一第二溫度對錫層及金層進行加熱，使錫層及金層反應形成不同特性之接點微結構，以連接此二主體。其中，當以第一溫度對錫層及金層進行加熱，此接點微結構為一層狀結構。當以第二溫度對錫層及金屬進行加熱，此接點微結構為一共晶結構。因此，藉由調控連接溫度以對金、錫進行加熱，以產生不同特性的接點微結構，以符合各種電子裝置的實際要求。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 控制接點微結構(bond microstructures)的方法，且特別是有關於一種利用調控連接溫度的方法以產生不同特性的接點微結構。 |
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| 應用領域： |
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| 一種控制接點微結構的方法，其利用不同的連接溫度對金、錫進行加熱以產生不同特性的接點微結構，進而符合各種電子裝置的實際要求。 |
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| 適用產品： |
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| 封裝 |
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| IPC： |
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| H01L-021/60(2006.01);
(IPC 1-7) : H01L-021/60 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種控制接點微結構的方法,包括:
於二主體其中之一上形成一錫層及一金層,且錫:金的重量百分比為20%:80%(�3-4%);以及
以一第一溫度及一第二溫度其中之一對該錫層及該金層進行加熱,使該錫層及該金層反應形成不同特性之接點微結構,以連接該二主體,
其中,當以該第一溫度對該錫層及該金屬進行加熱,該接點微結構為一層狀結構,其中該第一溫度係小於或等於280℃,
當以該第二溫度對該錫層及該金層進行加熱,該接點微結構為一共晶結構,其中該第二溫度係大於280℃。 |
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| 聯繫方式 |
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