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紫外光檢測器及製程方法ULTRAVIOLET DETECTOR AND MANUFACTURE METHOD THEREOF
專利名稱 紫外光檢測器及製程方法ULTRAVIOLET DETECTOR AND MANUFACTURE METHOD THEREOF
申請日 (校編號) 2003/07/19  (091022US)
2003/04/02  (091022TW)
專利證書號 7,009,185  美國
202698 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 紀國鐘、許進恭、陳孟炬、李明倫


技術摘要:
本發明係關於一種紫外光檢測器及製程方法,其主要系在一基板上形成一緩衝層,利用磊晶法在緩衝層上形成一P型氮化鎵系層,並接著以離子佈植技術將Si+離子適當地佈植於該P型氮化鎵系層中,形成一N型氮化鎵系層及包覆在此N型氮化鎵系層中且佈植濃度更高的另一N型氮化鎵系層,最後在該P型氮化鎵系層及第二N型氮化鎵系層上分別鍍上一環狀金屬層及另一金屬層,以作為歐姆接觸層。本發明特別是在於,藉由離子佈植技術,得以在元件之頂面形成一P型-N型氮化鎵系層排列之平面結構,使得入射光可直接接觸其空乏層,而增進其光量子效率,因此可簡化製程步驟且提高產品良率,而達到降低成本及增進該光電元件之效能者。

解決的問題或達成的功效:
1.本發明之紫外光檢測器中,其P型氮化鎵系層及N型氮化鎵系層在頂面形成一平面結構,使得入射光可直接接觸其空乏層,而增進其光量子效率。 2.本發明之紫外光檢測器製程方法,藉由離子佈植技術,得以在P型氮化鎵系層中生成N型氮化鎵系層,並在元件之頂面形成一P型-N型氮化鎵系層排列之平面結構,因此,可藉由製程的改良而降低成本,並增進產品良率。

應用領域:
關於一種紫外光檢測器及製程方法,特別是其透過離子佈植技術,

適用產品:
紫外光檢測器

IPC:
G01J1/429 H01L31/03529 H01L31/1035 H01L31/184 Y02E10/544 Y02P70/521

Claim 1:
其中並依據該干涉條紋之變化,來量測該位移。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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