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技術摘要：

本發明係關於一種紫外光檢測器及製程方法，其主要系在一基板上形成一緩衝層，利用磊晶法在緩衝層上形成一P型氮化鎵系層，並接著以離子佈植技術將Si+離子適當地佈植於該P型氮化鎵系層中，形成一N型氮化鎵系層及包覆在此N型氮化鎵系層中且佈植濃度更高的另一N型氮化鎵系層，最後在該P型氮化鎵系層及第二N型氮化鎵系層上分別鍍上一環狀金屬層及另一金屬層，以作為歐姆接觸層。本發明特別是在於，藉由離子佈植技術，得以在元件之頂面形成一P型-N型氮化鎵系層排列之平面結構，使得入射光可直接接觸其空乏層，而增進其光量子效率，因此可簡化製程步驟且提高產品良率，而達到降低成本及增進該光電元件之效能者。

解決的問題或達成的功效：

1.本發明之紫外光檢測器中，其P型氮化鎵系層及N型氮化鎵系層在頂面形成一平面結構，使得入射光可直接接觸其空乏層，而增進其光量子效率。 2.本發明之紫外光檢測器製程方法，藉由離子佈植技術，得以在P型氮化鎵系層中生成N型氮化鎵系層，並在元件之頂面形成一P型-N型氮化鎵系層排列之平面結構，因此，可藉由製程的改良而降低成本，並增進產品良率。

應用領域：

關於一種紫外光檢測器及製程方法，特別是其透過離子佈植技術，

適用產品：

紫外光檢測器

IPC：

G01J1/429 H01L31/03529 H01L31/1035 H01L31/184 Y02E10/544 Y02P70/521

Claim 1：

其中並依據該干涉條紋之變化,來量測該位移。

聯繫方式

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電話：03-4227151 #27076、27077	網址：http://www.caic.ncu.edu.tw/
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專利名稱	紫外光檢測器及製程方法ULTRAVIOLET DETECTOR AND MANUFACTURE METHOD THEREOF
申請日 (校編號)	2003/07/19 (091022US) 2003/04/02 (091022TW)
專利證書號	7,009,185 　美國 202698　中華民國
專利權人	國立中央大學
發明人	紀國鐘、許進恭、陳孟炬、李明倫