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利用奈米粒子產生離子源之方法 METHOD FOR PREPARING ION SOURCE FROM NANOPARTICLES
專利名稱 以奈米粒子產生離子源之方法 METHOD FOR PREPARING ION SOURCE FROM NANOPARTICLES
申請日 (校編號) 2009/09/16  (098022US)
2009/07/14  (098022TW)
專利證書號 8,283,638 美國
I412052 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 紀國鐘、黃秉榮、陳重維、潘敬仁、劉宇倫、曹福君


技術摘要:
本發明係為一種以奈米粒子產生離子源之方法,其包括下列步驟:提供奈米粒子;加熱奈米粒子;以及離子化氣體以產生離子源。藉由將奈米粒子放置於加熱載具中,用以加熱奈米粒子,使其蒸氣化為氣體,並使氣體離子化進而產生離子源。由於奈米粒子的熔點較一般固體塊材低,因此可在較低的溫度下蒸氣化為氣體,藉此不但可降低產生離子源所需之溫度,亦可節省產生離子源所需的時間。另外,相較於一般固體塊材,以奈米粒子所產生的離子源在相同加熱溫度下可提供較高的蒸氣壓及佈植劑量,以增加離子佈植技術的應用範圍。

解決的問題或達成的功效:
一、藉由奈米粒子熔點較固體塊材低之特性,以降低加熱溫度,進而達到縮短離子佈植製程時間之功效。 二、利用奈米粒子可在相同溫度下產生比固體塊材高的蒸氣壓,藉以提高離子佈植劑量,進而增加離子佈植技術的應用範圍。 三、藉由奈米粒子熔點較固體塊材低之特性,以避免因加熱溫度過高而將加熱載具內之物質蒸發,進而造成離子種類污染,以達到提高半導體元件之特性穩定度之功效。 為了使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施,且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點,因此將在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點。

應用領域:
本發明係為一種以奈米粒子產生離子源之方法,特別為一種應用於產生離子源技術之以奈米粒子產生離子源之方法。

適用產品:
奈米粒子產生離子源

IPC:
H01J-037/08(2006.01)

Claim 1:
1.一種以奈米粒子產生離子源之方法,其包括下列步驟:提供一奈米粒子,且該奈米粒子係放置於一加熱載具中,該加熱載具係設置於一離子佈植機中之一離子源系統內,又該離子源系統還包括:一電弧室,其係以一噴嘴與該加熱載具連接,且該電弧室外設置有一磁鐵;加熱該奈米粒子,以使得該奈米粒子蒸氣化為一氣體,且該氣體經由該噴嘴擴散進入該電弧室中;以及離子化該氣體以產生一離子源,透過該磁鐵產生之磁場使該電弧室內之熱電子作迴旋運動,並以作迴旋運動的該熱電子共振激發該氣體,藉此離子化該氣體以產生該離子源。 

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聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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