平面式光檢測器
 專利名稱 |
平面式光檢測器 |
| 申請日 (校編號) |
2004/09/07 (093012TW) |
| 專利證書號 |
I239656 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
紀國鐘、許進恭、陳孟炬、李明倫 |
| 技術摘要： |
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| 本發明係關於一種平面式光檢測器之結構，其主要係在一基板上沉積出N型層、中性層及P型層所構成，該第一N型層係N型半導體(N-type Semiconductor)材料，該中性層係本徵半導體(Intrinsic Semiconductor)材料，該P型層係成P型半導體(P-type Semiconductor)材料，並包括：一第二N型層，係自該P型層之頂端面向下延伸，穿過該中性層，至第一N型層中，所形成之N+型半導體(N+-type Semiconductor)材料；一第一電極層，係形成於該P型層在頂端面上，並由導電之金屬材料所構成，用以作為P型歐姆接觸電極；以及一第二電極層，係配合第二N型層，於該第二N型層在頂端面上的金屬導電層，用以作為N型歐姆接觸電極。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 1.本發明之平面式光檢測器中，其P型層、中性層及第一N型層係分次沉積結構，使得可形成異質接面結構，具有可調性佳，且能增進其光量子效率，提昇光電流強度。 2.本發明之平面式光檢測器中，其第二N型層與P型層及中性層之間形成一絕緣層，因此，可增進元件性能表現。 3.本發明之平面式光檢測器中，其P型層及第一N型層之輸出入電極在頂面形成一平面結構，使得光檢測器更容易整合於積體電路等平面結構上。 |
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| 應用領域： |
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| 關於一種平面式光檢測器，特別是利用P-I-N半導體異質接面結構 |
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| 適用產品： |
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| 光檢測器 |
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| IPC： |
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| H01L-031/0236(2006.01);H01L-031/0256(2006.01); |
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| Claim 1： |
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| 1.一種平面式光檢測器之結構,其主要係在一基板上沉積形成一第一N型層、一中性層及一P型層,該第一N型層係N型半導體(N-type Semiconductor)材料,該中性層係本徵半導體(Intrinsic Semiconductor)材料,該P型層係P型半導體(P-type Semiconductor)材料,並包括:
一第二N型層,係自該P型層之頂端面向下延伸,穿過該中性層,至第一N型層中,而形成電氣連接通道的一N+型半導體(N+-type Semiconductor)材料;
一第一電極層,係形成於該P型層在頂端面上,並由導電之金屬材料所構成,用以作為P型歐姆接觸電極;以及
一第二電極層,係配合第二N型層,於該第二N型層在頂端面上的金屬導電層,用以作為N型歐姆接觸電極。 |
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| 聯繫方式 |
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