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平面式光檢測器
專利名稱 平面式光檢測器
申請日 (校編號) 2004/09/07  (093012TW)
專利證書號 I239656 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 紀國鐘、許進恭、陳孟炬、李明倫


技術摘要:
本發明係關於一種平面式光檢測器之結構,其主要係在一基板上沉積出N型層、中性層及P型層所構成,該第一N型層係N型半導體(N-type Semiconductor)材料,該中性層係本徵半導體(Intrinsic Semiconductor)材料,該P型層係成P型半導體(P-type Semiconductor)材料,並包括:一第二N型層,係自該P型層之頂端面向下延伸,穿過該中性層,至第一N型層中,所形成之N+型半導體(N+-type Semiconductor)材料;一第一電極層,係形成於該P型層在頂端面上,並由導電之金屬材料所構成,用以作為P型歐姆接觸電極;以及一第二電極層,係配合第二N型層,於該第二N型層在頂端面上的金屬導電層,用以作為N型歐姆接觸電極。

解決的問題或達成的功效:
1.本發明之平面式光檢測器中,其P型層、中性層及第一N型層係分次沉積結構,使得可形成異質接面結構,具有可調性佳,且能增進其光量子效率,提昇光電流強度。 2.本發明之平面式光檢測器中,其第二N型層與P型層及中性層之間形成一絕緣層,因此,可增進元件性能表現。 3.本發明之平面式光檢測器中,其P型層及第一N型層之輸出入電極在頂面形成一平面結構,使得光檢測器更容易整合於積體電路等平面結構上。

應用領域:
關於一種平面式光檢測器,特別是利用P-I-N半導體異質接面結構

適用產品:
光檢測器

IPC:
H01L-031/0236(2006.01);H01L-031/0256(2006.01);

Claim 1:
1.一種平面式光檢測器之結構,其主要係在一基板上沉積形成一第一N型層、一中性層及一P型層,該第一N型層係N型半導體(N-type Semiconductor)材料,該中性層係本徵半導體(Intrinsic Semiconductor)材料,該P型層係P型半導體(P-type Semiconductor)材料,並包括: 一第二N型層,係自該P型層之頂端面向下延伸,穿過該中性層,至第一N型層中,而形成電氣連接通道的一N+型半導體(N+-type Semiconductor)材料; 一第一電極層,係形成於該P型層在頂端面上,並由導電之金屬材料所構成,用以作為P型歐姆接觸電極;以及 一第二電極層,係配合第二N型層,於該第二N型層在頂端面上的金屬導電層,用以作為N型歐姆接觸電極。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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