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技術摘要：

本發明係一種具白光產生器與放大器之半導體結構，利用多波長量子井疊接和電流側向注入，可使在不同電流偏壓下發出穩定均勻的白光，且可直接電激發出白光不需摻雜螢光粉，可降低封裝成本；由於為電激直接發光，不會因螢光轉換造成能量損失，故其發光效率遠大於傳統磷摻雜白光發光二極體。此外，在白光特性方面其白光頻譜可藉由調整量子井結構和數目達成，不會受限於螢光粉本身的原子放光譜線。

解決的問題或達成的功效：

本發明是係提供一種具白光產生器與放大器之半導體結構，特別是本發明利用多波長量子井疊接和電流側向注入，應用於白光照明及光纖通信中的白光放大器。

應用領域：

本發明之主要目的係在於提供一可發出均勻白光、不需摻雜螢光粉、發光功率大之具白光產生器與放大器之半導體結構。本發明係一種具白光產生器與放大器之半導體結構，係利用多波長量子井疊接和電流是由量子井側璧注入，且電流對每個量子井都是並聯路徑，於是每種顏色的量子井內之載子數目分佈均勻，可使在不同電流偏壓下發出穩定均勻的白光，其放光頻譜不會隨著電流的增加而產生變化，且可不需摻雜螢光粉，可降低封裝成本；由於為電激直接發光，不會因螢光轉換造成能量損失，故其發光效率大。此外，在白光特性方面其白光頻譜可藉由調整量子井結構和數目達成，不會受限於螢光粉本身的原子放光譜線，可應用於白光照明及光纖通信中的白光放大器。

適用產品：

IPC：

H01L27/15; H01L31/12; H01L31/153; H01L33/08; H01L33/32

Claim 1：

1.一種具白光產生器與放大器之半導體結構,係至少包含:
一基板;
一第一光學包覆層,係形成於該係基板上;
一第二光學包覆層,係形成於第一光學包覆層上;
一電流阻擋與光學包覆層,係形成於該第二光學包覆層上;
一多波長量子井,係形成於該電流阻擋與光學包覆層上,該多波長量子井之兩側係形成為一p型摻雜區及一n型摻雜區,且該p型摻雜區及n型摻雜區分別形成一p極量子井側壁金屬電極及一n極量子井側壁金屬電極;
一寬帶溝光學包覆層,係形成於該多波長量子井上。

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專利名稱	具白光產生器與放大器之半導體結構 SEMICONDUCTOR APPARATUS FOR WHITE LIGHT GENERATION AND AMPLIFICATION
申請日 (校編號)	2004/09/24 (093016US) 2004/08/20 (093016TW)
專利證書號	7,271,418　美國 I233704　中華民國
專利權人	國立中央大學
發明人	許晉瑋、許進恭