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具白光產生器與放大器之半導體結構 SEMICONDUCTOR APPARATUS FOR WHITE LIGHT GENERATION AND AMPLIFICATION
專利名稱 具白光產生器與放大器之半導體結構 SEMICONDUCTOR APPARATUS FOR WHITE LIGHT GENERATION AND AMPLIFICATION
申請日 (校編號) 2004/09/24  (093016US)
2004/08/20  (093016TW)
專利證書號 7,271,418 美國
I233704 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 許晉瑋、許進恭


技術摘要:
本發明係一種具白光產生器與放大器之半導體結構,利用多波長量子井疊接和電流側向注入,可使在不同電流偏壓下發出穩定均勻的白光,且可直接電激發出白光不需摻雜螢光粉,可降低封裝成本;由於為電激直接發光,不會因螢光轉換造成能量損失,故其發光效率遠大於傳統磷摻雜白光發光二極體。此外,在白光特性方面其白光頻譜可藉由調整量子井結構和數目達成,不會受限於螢光粉本身的原子放光譜線。

解決的問題或達成的功效:
本發明是係提供一種具白光產生器與放大器之半導體結構,特別是本發明利用多波長量子井疊接和電流側向注入,應用於白光照明及光纖通信中的白光放大器。

應用領域:
本發明之主要目的係在於提供一可發出均勻白光、不需摻雜螢光粉、發光功率大之具白光產生器與放大器之半導體結構。本發明係一種具白光產生器與放大器之半導體結構,係利用多波長量子井疊接和電流是由量子井側璧注入,且電流對每個量子井都是並聯路徑,於是每種顏色的量子井內之載子數目分佈均勻,可使在不同電流偏壓下發出穩定均勻的白光,其放光頻譜不會隨著電流的增加而產生變化,且可不需摻雜螢光粉,可降低封裝成本;由於為電激直接發光,不會因螢光轉換造成能量損失,故其發光效率大。此外,在白光特性方面其白光頻譜可藉由調整量子井結構和數目達成,不會受限於螢光粉本身的原子放光譜線,可應用於白光照明及光纖通信中的白光放大器。

適用產品:


IPC:
H01L27/15; H01L31/12; H01L31/153; H01L33/08; H01L33/32

Claim 1:
1.一種具白光產生器與放大器之半導體結構,係至少包含:
一基板;
一第一光學包覆層,係形成於該係基板上;
一第二光學包覆層,係形成於第一光學包覆層上;
一電流阻擋與光學包覆層,係形成於該第二光學包覆層上;
一多波長量子井,係形成於該電流阻擋與光學包覆層上,該多波長量子井之兩側係形成為一p型摻雜區及一n型摻雜區,且該p型摻雜區及n型摻雜區分別形成一p極量子井側壁金屬電極及一n極量子井側壁金屬電極;
一寬帶溝光學包覆層,係形成於該多波長量子井上。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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