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致電-吸光調制器 HIGH-SPEED ELECTRO-ABSORPTION MODULATOR WITH LOW DRIVE VOLTAGE
專利名稱 致電-吸光調制器 HIGH-SPEED ELECTRO-ABSORPTION MODULATOR WITH LOW DRIVE VOLTAGE
申請日 (校編號) 2004/10/19  (093021US)
2004/09/17  (093021TW)
專利證書號 7,102,807  美國
I240424 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 許晉瑋、謝鎮安


技術摘要:
本發明係一種致電吸光調制器,係利用一磊晶層結構為p-i(MQW)-n+-i(collector)-n之p-i-n- i-n磊晶層成長在一半導體基板上形成致電吸光調制器,可改善驅動電壓和速度之間的trade- off(抵觸)及增加了光在排摻雜區之侷限係數(confinement factor),並降低了光在摻雜區因 自由載波吸收(free-carrier-absorption)所造成的介入損耗。



解決的問題或達成的功效:
本發明係為一種致電吸光調制器,特別是本發明利用一磊晶層結構為p-i(MQW)-n+-i(Collector)-n之p-i-n-i-n磊晶層成長在一半導體基板上,可應用於光通信調制器。

應用領域:
高速光通信系統

適用產品:
光電調制器

IPC:
G02F1/03

Claim 1:
1.一種致電吸光調制器,係至少包含:
一半導體基板;
一p-i-n-i-n磊晶層,係由一第二本質層形成於一第二n型摻雜層上,一第一n型摻雜層形成於該第二本質層上,一第一本質層形成於該第一n型摻雜層上,一p型摻雜層形成於該第一本質層上;
其中,該p-i-n-i-n磊晶層形成於該半導體基板上。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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