致電-吸光調制器 HIGH-SPEED ELECTRO-ABSORPTION MODULATOR WITH LOW DRIVE VOLTAGE
 專利名稱 |
致電-吸光調制器 HIGH-SPEED ELECTRO-ABSORPTION MODULATOR WITH LOW DRIVE VOLTAGE |
| 申請日 (校編號) |
2004/10/19 (093021US) 2004/09/17 (093021TW) |
| 專利證書號 |
7,102,807 美國 I240424 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
許晉瑋、謝鎮安 |
| 技術摘要： |
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| 本發明係一種致電吸光調制器，係利用一磊晶層結構為p-i(MQW)-n+-i(collector)-n之p-i-n- i-n磊晶層成長在一半導體基板上形成致電吸光調制器，可改善驅動電壓和速度之間的trade- off(抵觸)及增加了光在排摻雜區之侷限係數(confinement factor)，並降低了光在摻雜區因 自由載波吸收(free-carrier-absorption)所造成的介入損耗。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係為一種致電吸光調制器，特別是本發明利用一磊晶層結構為p-i(MQW)-n+-i(Collector)-n之p-i-n-i-n磊晶層成長在一半導體基板上，可應用於光通信調制器。 |
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| 應用領域： |
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| 高速光通信系統 |
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| 適用產品： |
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| 光電調制器 |
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| IPC： |
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| G02F1/03 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種致電吸光調制器,係至少包含: 一半導體基板; 一p-i-n-i-n磊晶層,係由一第二本質層形成於一第二n型摻雜層上,一第一n型摻雜層形成於該第二本質層上,一第一本質層形成於該第一n型摻雜層上,一p型摻雜層形成於該第一本質層上; 其中,該p-i-n-i-n磊晶層形成於該半導體基板上。 |
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| 相關圖片： |
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| 聯繫方式 |
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