光二極體之空乏區結構
 專利名稱 |
光二極體之空乏區結構 |
| 申請日 (校編號) |
2005/04/08 (094002TW) |
| 專利證書號 |
I251940 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
許晉瑋、吳衍祥、吳忠諭 |
| 技術摘要： |
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| 一種光二極體之空乏區結構，其磊晶層結構(from top to bottom)係由第一P型摻雜層(p-type)、第一N型摻雜層(n-tyep)、第二P型摻雜層(p-type)、一未摻雜層(undoped)、以及第二N型摻雜層(n-type)所組成，成為p-n-p-i-n磊晶層，並成長於所有參雜或是半絕緣的半導體基板上。藉此，不但可以提升光偵測器的輸出功率與頻寬乘積，更解決電子飄移速度因外加偏壓過大而降低的問題，其更可以應用在光纖通信波長的光檢測器。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 一般傳統的p－i－n photodiode在高光功率照射操作時，因為外加電場被內部光激發載子所感應的空間電場遮蔽所以會有速度表現變差，最大輸出電功率較低的缺點。因此，本發明之主要目的係在於，不但可以提升光偵測器的輸出功率－頻寬乘積，更解決電子飄移速度因外加偏壓過大而降低的問題，其更可以應用在光纖通信波長的光檢測器。 |
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| 應用領域： |
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| 光通訊 |
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| 適用產品： |
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| 光偵測器 |
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| IPC： |
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| H01L-031/06(2012.01);
(IPC 1-7) : H01L-031/06 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種光二極體之空乏區結構,其特徵在於:其磊晶層結構(from top to bottom)係由第一P型摻雜層(p-type)、第一N型摻雜層(n-tyep)、第二P型摻雜層(p-type)、一未摻雜層(undoped)、以及第二N型摻雜層(n-type)所組成,成為p-n-p-i-n磊晶層,並成長於所有參雜或是半絕緣的半導體基板上。 |
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| 聯繫方式 |
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