發光二極體結構
 專利名稱 |
發光二極體結構LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE |
| 申請日 (校編號) |
2006/04/18 (095006TW) |
| 專利證書號 |
I291253 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
郭政煌、紀國鐘、陳朝旻 |
| 技術摘要： |
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| 一種發光二極體結構，其包括一基板、ㄧ第一型摻雜半導體層、一發光層、一第二型摻雜半導體層以及一透明導電層。第一型摻雜半導體層是位於基板上。發光層是位於第一型摻雜半導體層上。第二型摻雜半導體層是位於發光層上，且透明導電層是位於第二型摻雜半導體層上。此發光二極體主要是利用蝕刻的方式移除掉部份透明導電層及其下方之第二型摻雜半導體，使透明導電層形成一網狀結構，並使其下方之第二型摻雜半導體層的表面形成一凹凸表面，以減少光線於發光二極體中發生全反射的情性，進而提升發光二極體之光取出效率及其發光效率。 |
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| 聯繫方式 |
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