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具次微米與奈米結構之發光二極體METHOD OF FABRICATING POROUS ALUMINUM OXIDE MOLD HAVING SUB-MICRON STRUCTURE AND METHODS OF IMPRINTING TO MAKE LEDS USING THE MOLD
專利名稱 具次微米與奈米結構之發光二極體METHOD OF FABRICATING POROUS ALUMINUM OXIDE MOLD HAVING SUB-MICRON STRUCTURE AND METHODS OF IMPRINTING TO MAKE LEDS USING THE MOLD
申請日 (校編號) 2007/03/09  (095050US)
2006/12/14  (095050TW)
專利證書號 7,588,953  美國
I347684 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 陳志臣、張正陽、李有璋、杜昇翰


技術摘要:
一種具次微米與奈米結構之發光二極體之製造方法,係使用多孔隙氧化鋁模板作為一個複製品,將模板本身之圖案壓印至一表面塗佈高分子材料之基板上方,並經由蝕刻方式進而深入至該基板,以形成具次微米與奈米結構圖案之該基板。故,建立奈米及次微米尺寸之圖形於發光二極體(Light Emitting Diode,LED)半導體材料或基板上方,將有助於提升整體出光效率,不僅達到速度快且價格低廉,並可大面積生產以迎合業界量產之需求。

解決的問題或達成的功效:
本發明係有關於一種具次微米與奈米結構之發光二極體,係利用可產生具次微米及奈米大小之多孔隙氧化鋁模板,在發光二極體(Light Emitting Diode,LED)及雷射二極體(Laser Diode,LD)上方或基板表面可大面積生產等性質,不僅速度快且價格低廉,並可迎合業界量產之需求。

應用領域:
關於一種具次微米與奈米結構之發光二極體

適用產品:
發光二極體

IPC:
H01L-033/20(2010.01);C30B-033/08(2006.01);C30B-029/20(2006.01);
H01L-033/00(2010.01)

Claim 1:
1.一種具次微米與奈米結構之多孔隙氧化鋁模板之製造方法,係可用於後續結合壓印處理取得具次微米與奈米結構之發光二極體,其中,該多孔隙氧化鋁模板之製造方法係至少包括下列步驟:(A)取一鋁箔進行退火熱處理成一鋁模板;(B)清潔該鋁模板後,使用一電化學方法對該鋁模板作表面拋光;(C)接著進行一陽極處理,之後以一去離子水清洗並使用一酒精乾燥;(D)待該鋁模板乾燥後,其表面會形成一乳白色薄膜之氧化層;以及(E)再用一磷酸將該氧化層去除並以該去離子水沖洗後,置於空氣中乾燥以獲得一多孔隙氧化鋁模板,其中,該鋁模板可再進行二次陽極處理。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
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