具次微米與奈米結構之發光二極體METHOD OF FABRICATING POROUS ALUMINUM OXIDE MOLD HAVING SUB-MICRON STRUCTURE AND METHODS OF IMPRINTING TO MAKE LEDS USING THE MOLD
 專利名稱 |
具次微米與奈米結構之發光二極體METHOD OF FABRICATING POROUS ALUMINUM OXIDE MOLD HAVING SUB-MICRON STRUCTURE AND METHODS OF IMPRINTING TO MAKE LEDS USING THE MOLD |
| 申請日 (校編號) |
2007/03/09 (095050US) 2006/12/14 (095050TW) |
| 專利證書號 |
7,588,953 美國 I347684 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
陳志臣、張正陽、李有璋、杜昇翰 |
| 技術摘要： |
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| 一種具次微米與奈米結構之發光二極體之製造方法，係使用多孔隙氧化鋁模板作為一個複製品，將模板本身之圖案壓印至一表面塗佈高分子材料之基板上方，並經由蝕刻方式進而深入至該基板，以形成具次微米與奈米結構圖案之該基板。故，建立奈米及次微米尺寸之圖形於發光二極體(Light Emitting Diode,LED)半導體材料或基板上方，將有助於提升整體出光效率，不僅達到速度快且價格低廉，並可大面積生產以迎合業界量產之需求。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係有關於一種具次微米與奈米結構之發光二極體，係利用可產生具次微米及奈米大小之多孔隙氧化鋁模板，在發光二極體(Light Emitting Diode,LED)及雷射二極體(Laser Diode,LD)上方或基板表面可大面積生產等性質，不僅速度快且價格低廉，並可迎合業界量產之需求。 |
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| 應用領域： |
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| 關於一種具次微米與奈米結構之發光二極體 |
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| 適用產品： |
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| 發光二極體 |
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| IPC： |
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| H01L-033/20(2010.01);C30B-033/08(2006.01);C30B-029/20(2006.01); H01L-033/00(2010.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種具次微米與奈米結構之多孔隙氧化鋁模板之製造方法，係可用於後續結合壓印處理取得具次微米與奈米結構之發光二極體，其中，該多孔隙氧化鋁模板之製造方法係至少包括下列步驟：(A)取一鋁箔進行退火熱處理成一鋁模板；(B)清潔該鋁模板後，使用一電化學方法對該鋁模板作表面拋光；(C)接著進行一陽極處理，之後以一去離子水清洗並使用一酒精乾燥；(D)待該鋁模板乾燥後，其表面會形成一乳白色薄膜之氧化層；以及(E)再用一磷酸將該氧化層去除並以該去離子水沖洗後，置於空氣中乾燥以獲得一多孔隙氧化鋁模板，其中，該鋁模板可再進行二次陽極處理。 |
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