非單晶形矽金共晶鍵合結構 AMORPHOUS SI/AU EUTECTIC WAFER BONDING STRUCTURE
 專利名稱 |
非單晶形矽金共晶鍵合結構 Amorphous Si/Au eutectic wafer bonding structure |
| 申請日 (校編號) |
2007/01/05 (095057US) 2006/12/07 (095057TW) |
| 專利證書號 |
7,507,636 美國 I319202 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
劉正毓、陳柏翰、林京亮 |
| 技術摘要： |
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| 一種非單晶形矽金共晶鍵合方法，係利用鍍膜或成長之方式提供非單晶形矽與金接觸產生共晶反應進行鍵合。其鍵合層為一金矽共晶合金結構，本發明不僅可控制矽之析出，亦可得到品質更好、反應更均勻及更快速之晶圓鍵合成品，以改善鍵合後電子元件之電性與可靠度。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係有關於一種非單晶形矽金共晶鍵合結構，尤指一種以鍍膜或成長之方式提供非單晶形矽與金接觸產生共晶反應進行鍵合。可控制矽之析出並改善鍵合後電子元件之電性與可靠度。 |
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| 應用領域： |
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| 可控制矽之析出，並得到品質更好、反應更均勻及更快速之晶圓鍵合成品，以改善鍵合後電子元件之電性與可靠度。 |
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| 適用產品： |
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| 晶圓 |
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| IPC： |
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| H01L-021/00(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種非單晶形矽金共晶鍵合結構，其至少包括下列步驟：(A)選擇一第一矽基板；(B)在該第一矽基板上成長一非單晶形矽薄膜；(C)另取一鍍有一阻障層(Barrier)及一金(Au)之第二基板；以及(D)將該非單晶形矽薄膜與該金接觸產生共晶反應並進行鍵合，以獲得一鍵合介面反應均勻及反應速率快之鍵合結構。 |
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| 相關圖片： |
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