新型擴散障礙層材料及其製作方法Diffusion barrier and fabrication method
 專利名稱 |
擴散阻礙結構 |
| 申請日 (校編號) |
2016/12/19 (105029TW) |
| 專利證書號 |
M546013 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
辛正倫 |
| 技術摘要： |
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| 一種擴散阻礙結構，包含有一介電材料層、一形成於介電材料層表面之擴散阻礙層，以及一形成於擴散阻礙層表面之銅導線層，其中的擴散阻礙層主要是由過渡金屬合金經過退火程序後所形成之過渡金屬及其錳矽氧化物所構成。藉此，本創作之擴散阻礙結構在銅導線製程中可以有效防止銅原子的擴散，同時提供良好的製程可靠度及提升產品性能。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 因為銅的活性大，使得銅原子會從導線穿過介電層而污染到矽基底，一旦矽基底受到污染後會隨即影響到效能，為了解決此一問題，銅導線的外部會製作擴散阻礙層來防止銅原子擴散，在習用技術當中，擴散阻礙層是以氮化鉭 及鉭(TaN/Ta)的雙層結構作為主要材料，然而此一雙層結構也逐漸面臨到技術上的障礙與瓶頸。 |
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| 應用領域： |
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| IC製程技術 |
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| 適用產品： |
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| Ic晶片 |
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| IPC： |
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| H01L-023/48(2006.01);C23C-014/08(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種擴散阻礙結構，包含有：一介電材料層；一擴散阻礙層，由過渡金屬及其錳矽氧化物所製成，該擴散阻礙層形成於該介電材料層之表面；以及一銅導線層，形成於該擴散阻礙層之表面。 |
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| 聯繫方式 |
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