技術摘要: | ||||||||
本發明為主動式抑制藍光溢漏之LED結構,其包括:一電路基板;至少一藍光晶粒;一光偵測器;以及一波長轉換層,其中,電路基板之電路接收光偵測器之偵測訊號並據以關閉藍光晶粒。藉由本發明之實施,當LED結構到達使用壽命時,主動式抑制藍光溢漏之LED結構可以關閉藍光晶粒,避免LED結構釋放出大量藍光對使用者造成傷害。 |
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解決的問題或達成的功效: | ||||||||
應用領域: | ||||||||
根據本揭露之一些實施例,製作此半導體裝置之方法更包含:形成一閘極於該反極化層之上;形成一源極及一汲極於該閘極兩側並且在AlxIn1-xN層之上;形成一源極接觸於該源極之上;以及形成一汲極接觸於該汲極之上。 |
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適用產品: | ||||||||
IPC: | ||||||||
Claim 1: | ||||||||
聯繫方式 | ||||||||
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