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規則準直排列金屬矽化物奈米管陣列之製造方法 Method for Manufacturing of Well-ordered Arrays of vertically-aligned Metal Silicide Nanotubes
專利名稱 金屬化合物奈米管陣列之製造方法
申請日 (校編號) 2014/10/28  (103027TW)
專利證書號 I562956 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 莊振富、鄭紹良


技術摘要:
本發明為一種金屬化合物奈米管陣列之製造方法,其包括下列步驟:提供一奈米線模板,其中奈米線模板包括有呈陣列排列之複數根奈米線,且每一奈米線之頂端具有高分子遮罩;形成核心為奈米線且核殼為金屬化合物之金屬化合物奈米柱結構;進行第一次選擇性蝕刻,移除每一金屬化合物奈米柱結構表面多餘之金屬層;進行第二次選擇性蝕刻,移除每一奈米線之頂端的高分子遮罩;及進行第三次選擇性蝕刻,移除每一金屬化合物奈米柱結構核心之奈米線,並留下為金屬化合物之核殼,藉此製成金屬化合物奈米管陣列。

解決的問題或達成的功效:
使奈米線可準直定位且規則有序的排列成陣列,再於高分子遮罩及奈米線表面披覆金屬層,以構成核心為奈米線而核殼為金屬化合物之金屬化合物奈米柱結構,再進行多次選擇性蝕刻分別移除多餘之金屬層、高分子遮罩及作為核心之奈米線,藉此在不使用昂貴機台設備及複雜的半導體微影製程的條件下,在基板上製備出準直排列之奈米管陣列。

應用領域:
金屬化合物奈米管陣列之製造

適用產品:
平面顯示面板、燃料電池

IPC:
B82Y-040/00(2011.01)

Claim 1:
1.一種金屬化合物奈米管陣列之製造方法,其包括下列步驟:提供一奈米線模板,該奈米線模板包括一基板及生長於其上並呈陣列排列之複數根奈米線,且每一該奈米線之頂端具有一高分子遮罩;披覆一金屬層於每一該高分子遮罩及每一該奈米線之表面後進行退火,以形成核心為該奈米線且核殼為金屬化合物之一金屬化合物奈米柱結構;進行第一次選擇性蝕刻,其係使用第一蝕刻材料移除每一該金屬化合物奈米柱結構表面多餘之該金屬層,其中該第一蝕刻材料為硝酸(HNO3)或鹽酸(HCl);進行第二次選擇性蝕刻,其係使用第二蝕刻材料移除每一該高分子遮罩,其中該第二蝕刻材料為聚烷類溶劑、具有羰基類溶劑、苯類溶劑或芳香族類溶劑;以及進行第三次選擇性蝕刻,其係使用第三蝕刻材料移除每一該核心之該奈米線並留下該核殼,以製成一金屬化合物奈米管陣列。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
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