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鈣鈦礦薄膜及太陽能電池的製備方法 METHOD FOR PREPARING PEROVSKITE FILM AND SOLAR CELL THEREOF |
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2014/07/14 (103008US) 2014/04/29 (103008TW) 2014/11/05 (103008JP) |
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9,231,136 美國 I474992 中華民國 特許第6294808號 日本 |
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國立中央大學 |
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吳春桂、江建宏 |
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一種鈣鈦礦薄膜的製備方法,包括以下步驟:旋塗第一溶液於一基板上成膜,以及旋塗第二溶液於第一溶液所製備的膜上,以形成鈣鈦礦薄膜。鈣鈦礦薄膜係以ABX3之通式表示之,其中第一溶液的溶質至少含有AX或BX2之中一種,第二溶液的溶質至少含有AX或BX2之中一種。一種以鈣鈦礦薄膜作為主動層的太陽能電池的製備方法亦一併揭露。 |
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本發明係關於一種鈣鈦礦薄膜及太陽能電池的製備方法,特別係關於一種以鈣鈦礦薄膜作為主動層的太陽能電池的製備方法。 |
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本發明提供一種鈣鈦礦薄膜及太陽能電池的製備方法,此方法具有可避免利用蒸鍍技術來製備鈣鈦礦主動層,並同時兼具可精準控制鈣鈦礦薄膜性質的優點。 |
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太陽能電池 |
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C04B-035/622(2006.01);H01L-031/18(2006.01) |
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1.一種鈣鈦礦薄膜的製備方法,包括以下步驟:旋塗第一溶液於一基板上成膜;以及旋塗第二溶液於由該第一溶液所製備的膜上,以形成該鈣鈦礦薄膜,而該鈣鈦礦薄膜係以ABX3之通式表示之;其中該第一溶液的溶質至少含有AX或BX2之中一種,該第二溶液的溶質至少含有AX或BX2之中一種,A為鹼金屬離子、甲基胺離子、乙基胺離子、NH2 CH=NH2離子或烷基胺離子之中至少一種,B為IV族元素(鍺Gc、錫Sn、鉛Pb)、III族元素銦或V族元素銻之中至少一種,X為VII族元素(氟F、氯Cl、溴Br、碘I)之中至少一種。 |
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