半導體元件 Semiconductor Device
 專利名稱 |
可降低電阻值之半導體元件 |
| 申請日 (校編號) |
2014/05/05 (103007TW) |
| 專利證書號 |
M539700 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
辛正倫、李勝偉、李佩雯 |
| 技術摘要： |
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| 本創作有關於一種半導體元件，包含有一基底，基底具有一源極區、一汲極區，以及一鄰設於源極區與汲極區之閘極區，基底之源極區形成有一源極層，基底之汲極區形成有一汲極層，源極層與汲極層共同覆設有一材質為合金矽化物、合金矽鍺化物或合金鍺化物之接觸介質層，藉此，本創作之半導體元件可以達到有效降低電阻值與減少材料成本之目的。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本創作之主要目的在於提供一種半導體元件，其具有良好的低電阻率與低廉的材料成本。 |
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| 應用領域： |
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| 半導體製程、晶圓代工 |
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| 適用產品： |
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| 電子產品 |
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| IPC： |
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| H01L-029/78(2006.01);H01L-021/28(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種半導體元件，包含有： 一基底，具有一源極區、一汲極區，以及一鄰設於該源極區 與該汲極區之閘極區，且部分的該汲極區與部分的閘極區係 重疊設置； 一源極層，設於該基底之源極區； 一汲極層，設於該基底之汲極區； 一閘極體，疊設於該基底之閘極區；以及 一接觸介質層，覆設於該源極層與該汲極層，其中該接觸介 質層之材質係為合金矽化物、合金矽鍺化物或合金鍺化物。 |
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| 聯繫方式 |
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