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MOCVD進氣擴散系統進氣擋板設計
專利名稱 具有進氣擋板之有機金屬化學氣相沉積進氣擴散系統MOCVD GAS DIFFUSION SYSTEM WITH GAS INLET BAFFLES
申請日 (校編號) 2013/06/26  (102020TW)
專利證書號 I472645 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 蕭述三、廖俊忠、莊子慶、陳志臣


技術摘要:
本發明為一種具有進氣擋板之有機金屬化學氣相沉積進氣擴散系統,其係於反應腔體內的有機金屬氣體進氣口與氫化物氣體氣口下方結合複數個可拆卸擋板,簡單、快速的在進行有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)製程時,阻隔有機金屬氣體及氫化物氣體剛進入反應腔體時產生混合,並避免有機金屬氣體及氫化物氣體發生預反應的產生,降低有機金屬氣體及氫化物氣體之預反應,達到有效避免於進氣口附近產生沉積、使半導體結晶薄膜可以均勻的擴散沉積於晶圓載台上之複數個晶圓表面、以及減少有機金屬氣體的使用量等功效。以此種進氣擴散系統進行有機金屬化學氣相沉積製程,在高效能發光二極體磊晶之製造上具有非常大的應用潛力。

解決的問題或達成的功效:
本發明係關於一種有機金屬化學氣相沉積進氣擴散系統,特別是關於一種具有進氣擋板之有機金屬化學氣相沉積進氣擴散系統。

應用領域:


適用產品:
金屬化學氣相沉積系統
半導體系統

IPC:
C23C-016/455(2006.01)

Claim 1:
1.一種具有進氣擋板之有機金屬化學氣相沉積進氣擴散系統,其包括:一反應腔體,其為一中空殼體;一晶圓載台,固設於該反應腔體內並具有一中軸,該晶圓載台係用以承載複數個晶圓並以該中軸為軸心進行旋轉;至少一第一進氣口,開設於該反應腔體上部,並用以輸入一有機金屬氣體;至少一第二進氣口,開設於該反應腔體上部並與該第一進氣口相分離,該第二進氣口係用以輸入一氫化物氣體;複數個進氣擋板,可傾斜移動的設置於該第一進氣口及該第二進氣口下方,相鄰二該進氣擋板間並具有一上層開口及一下層開口受該有機金屬氣體或該氫化物氣體通過,且該些進氣擋板之材質不與該有機金屬氣體或該氫化物氣體產生反應;以及一出氣口,開設於該反應腔體下部,並排出該反應腔體內之該有機金屬氣體或該氫化物氣體或該有機金屬氣體及該氫化物氣體之混和物。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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