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長晶爐之供氣裝置GAS SUPPLY DEVICE FOR USE IN CRYSTAL-GROWING FURNACE
專利名稱 長晶爐之供氣裝置GAS SUPPLY DEVICE FOR USE IN CRYSTAL-GROWING FURNACE
申請日 (校編號) 2010/10/15  (099045TW)
2010/10/20  (099045CH)
專利證書號 I418674 中華民國
1555291 中國
專利權人 國立中央大學
發明人 陳志臣、鄧應揚、呂中偉、陳學億


技術摘要:
本發明主要提供長晶爐一種能夠有效降低雜質濃度,藉以提升晶體品質之供氣裝置;所述之供氣裝置係包括有:一相對罩設於坩堝外圍的絕熱層、一設於絕熱層上的輸氣管,以及若干設於絕熱層的排氣孔;其中,輸氣管之管口處設有一組可供調整角度之導流罩,使熔湯之自由表面得以同步接受導引氣流之吹拂作用,而加速將雜質帶離自由表面之速率,以有效降低雜質濃度,藉以提熔湯冷卻固化後之晶體品質。

解決的問題或達成的功效:
提供長晶爐一種可以有效降低雜質濃度,藉以提升晶體品質之供氣裝置 相對罩設於坩堝外圍的絕熱層、一設於絕熱層上的輸氣管,以及若干設於絕熱層的排氣孔,使得以配合由輸氣管輸入預定流速的氣體,藉以產生通過熱場的氣流,以將容易形成雜質的氧化物排出;尤其,輸氣管之管口處設有一組可供調整角度之導流罩,其通過輸氣管之氣流在導流罩之作用下,使熔湯之自由表面得以同步接受導引氣流之吹拂作用,達到有效降低雜質濃度之目的,進而提升晶體之品質。

應用領域:
有關一種應用於長晶爐之供氣裝置,尤指一種可以有效降低雜質濃度之長晶爐供氣裝置。

適用產品:
太陽能電池

IPC:


Claim 1:
1.一種長晶爐之供氣裝置,係包括有:一相對罩設於坩堝外圍的絕熱層、一設於絕熱層上的輸氣管,以及若干設於絕熱層的排氣孔;其特徵在於:該輸氣管之管口處設有一組可供調整角度之導流罩,且該導流罩之外圍輪廓形狀與該坩堝內部輪廓形狀係為相同。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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