技術媒合網

國際產業聯盟


    快速搜尋        

光電元件 Optoelectronic Device Having Light Source Emitter and Receiver Integrated
專利名稱 光電元件 Optoelectronic Device Having Light Source Emitter and Receiver Integrated
申請日 (校編號) 2010/02/10  (098058US)
2010/01/07  (098058TW)
專利證書號 8,130,809 美國
I403053 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 許晉瑋、郭峰銘


技術摘要:
有鑑於傳統銅線之傳輸頻寬已不能滿足傳送大量資訊之需求,因此以光取代電作為載波之想法,即光連結技術因應而生。然而,儘管市面上已有之高解析度多媒體介面能具有10Gb/s之資料傳輸量,惟其製作方式複雜,且有距離上之限制,即超過5公尺就有資料衰減之現象,而該長度通常不能夠滿足投影機與電腦之連接。相反地,由於多模光纖本身易於對準熔接,且相較於傳統銅纜線而言,傳輸時不受電磁波干擾、安全性高及傳輸損耗低,加上調變頻率響應平坦,應用此種光纖替代傳統銅纜線之短距離(<100m)光通訊近年來已越來越受到注目。

解決的問題或達成的功效:
本發明係有關於一種光電元件,尤指涉及一種結合高速單載子傳輸光檢測器(Uni-Traveling-Carrier Photodiode,UTC-PD)與使用鋅擴散之面射型雷射(Vertical Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)之積體化整合,特別係指整合出高速且低耗能之光電元件。

應用領域:
光通訊

適用產品:
光通訊晶片

IPC:
H01S-005/187(2006.01);H01L-031/06(2012.01);
H01S-005/187(2006.01);H01L-031/06(2012.01)

Claim 1:
1.一種光電元件,係包括:一發射光源模組,係由一基板、一n型分佈式布拉格反射鏡(n-Distributed Bragg Reflector,n-DBR)、一發光區(Active Region)、一p型分佈式布拉格反射鏡(p-DBR)、一氧化層(Oxide Layer)、一鋅擴散結構(Zn Diffused Region)、一隔絕層(Bisbenzocyclobutene,BCB)、一N型接面(N Contact)、一P型接面(P Contact)、一N型金屬電極(Metal Pad)及一P型金屬電極所組成,其中該n型分佈式布拉格反射鏡係堆疊於該基板上之磊晶結構,該發光區係形成於該n型分佈式布拉格反射鏡上,該p型分佈式布拉格反射鏡係堆疊於該發光區上之磊晶結構,該氧化層係具有一氧化孔徑(Oxide Aperture)且位於該發光區上方並埋設於該p型分佈式布拉格反射鏡中,該鋅擴散結構係具有一發光孔徑(Optical Aperture)且位於該氧化層上方並埋設於該p型分佈式布拉格反射鏡中,該隔絕層係具有一光源射出口,係在該光源射出口兩端延伸於該鋅擴散結構上而貫穿該發光區與該p型分佈式布拉格反射鏡並穿入至該n型分佈式布拉格反射鏡中,並使該氧化層與該鋅擴散結構介於此隔絕層兩端延伸貫穿所定義之區間,俾供該光源射出口之中心係對正該氧化孔徑與該發光孔徑,該N型接面係埋設於該隔絕層中並位於該隔絕層與該n型分佈式布拉格反射鏡介面上,該P型接面係埋設於該隔絕層中並位於該隔絕層與該鋅擴散結構介面上,該N型金屬電極係形成於該隔絕層上並於該隔絕層內具有一貫穿孔洞而與該N型接面電性連接,以及該P型金屬電極係形成於該隔絕層上並於該隔絕層內具有一貫穿孔洞而與該P型接面電性連接;以及一接收光源模組,係形成於該發射光源模組之磊晶結構上,並於中間隔著一半絕緣層,該接收光源模組係由一蝕刻終止層(Etching Stop Layer)、一緩衝層(Buffer Layer)、一N型歐姆接觸層(Ohmic Contact Layer)、一電子傳輸層(Transport Layer)、一漸變層(Graded Layer)、一空間層(Setback Layer)、一吸光層(Absorption Layer)、一擴散阻擋層(Diffusion Block Layer)、及一P型歐姆接觸層所組成,成為PIN接面之磊晶結構,其中該蝕刻終止層係位於該半絕緣層上無摻雜之第一半導體,該緩衝層係位於該蝕刻終止層上無摻雜之第二半導體,該N型歐姆接觸層係位於該緩衝層上N型摻雜之第三半導體,並包含一N型金屬導電層,該電子傳輸層係位於該N型歐姆接觸層上無摻雜之第四半導體,該漸變層係位於該電子傳輸層上無摻雜之第五半導體,該空間層係位於該漸變層上無摻雜之第六半導體,該吸光層係位於該空間層上P型摻雜之第七半導體,該擴散阻擋層係位於該吸光層上P型摻雜之第八半導體,該P型歐姆接觸層係位於該擴散阻擋層上P型摻雜之第九半導體,並包含一P型金屬導電層。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
瀏覽人數:27324