氮化物發光二極體結構與製造方法Structure and method for manufacturing nitride light-emitting diode
 專利名稱 |
氮化物發光二極體之製造方法及其結構 METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE LED AND THE NITRIDE LED STRUCTURE THEREOF |
| 申請日 (校編號) |
2009/05/22 (098018TW) |
| 專利證書號 |
I388072 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
潘敬仁、曾惠足、紀國鐘 |
| 技術摘要： |
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| 本發明係為一種氮化物發光二極體之製造方法及其結構，其中氮化物發光二極體之製造方法係包括下列步驟：提供第一基板；形成氮化物發光磊晶結構；形成凹槽；形成絕緣層；移除部分絕緣層；形成第一黏貼層；形成第二黏貼層；進行鍵合步驟；以及移除第一基板。藉由先形成凹槽，以使得第一黏貼層形成後無須再蝕刻第一黏貼層，並以絕緣層保護氮化物發光磊晶結構，進而利用絕緣層使氮化物發光磊晶結構與第一黏貼層相互隔離，藉此達到提升氮化物發光二極體製造良率之功效。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係為一種氮化物發光二極體之製造方法及其結構，特別為一種應用於發光二極體之氮化物發光二極體之製造方法及其結構。 |
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| 應用領域： |
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| 適用產品： |
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| 二極體之製造 |
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| IPC： |
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| H01L-033/00(2010.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種氮化物發光二極體之製造方法，其包括下列步驟：提供一第一基板，其具有一第一表面；形成一氮化物發光磊晶結構於該第一表面上，其中該氮化物發光磊晶結構具有一第二表面及一第三表面，且該第二表面結合於該第一表面；形成至少一凹槽，其係由該第三表面向該第二表面蝕刻形成之；形成一絕緣層於該第三表面上，且該絕緣層亦包覆該凹槽之一側壁及一底部；移除位於該底部及部分該第三表面之該絕緣層；形成一第一黏貼層於該第三表面、該絕緣層及該底部上；形成一第二黏貼層於一第二基板之一第四表面上，且該第二基板具有一第五表面，其係與該第四表面相對；進行一鍵合步驟，鍵合該第一黏貼層及該第二黏貼層，並使在該鍵合步驟期間形成於鍵合界面之複數個氣泡脫逸至該凹槽或該氮化物發光磊晶結構外；以及移除該第一基板。 |
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| 相關圖片： |
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