發光二極體之PN接面溫度的測試方法 Method for Measuring PN-Junction Temperature of Light-Emitting Diode (LED)
 專利名稱 |
發光二極體之PN接面溫度的測試方法 Method for Measuring PN-Junction Temperature of Light-Emitting Diode (LED) |
| 申請日 (校編號) |
2009/01/14 (097029US) 2008/12/02 (097029TW) |
| 專利證書號 |
7,982,486 美國 I404923 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
林明德、戴光佑、陳志臣、胡凡勳 |
| 技術摘要： |
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| 本發明提供一種發光二極之PN接面溫度的測試方法，其係利用參考電壓建立發光二極體之電流、實功率、功率因數或驅動時間間距對溫度的函數，以測試取得電流、實功率、功率因數或驅動時間間距之起始數值與熱平衡數值，以取得電流、實功率、功率因數或驅動時間間距的變化量，並結合先前對應之函數取得溫度變化量，藉由溫度變化量與起始溫度之運算求得發光二極體之PN接面溫度。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係有關於一種溫度測試方法，尤其指一種發光二極體之PN接面溫度的測試方法。 |
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| 應用領域： |
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| 為一種發光二極體之PN接面溫度的測試方法，其步驟包含先提供一發光二極體，之後利用一參考電壓施加於該發光二極體上，以建立電流－溫度、實功率－溫度、功率因數－溫度或驅動時間間距－溫度之函數，然後施加測試電壓至發光二極體，以取得電流變化量、實功率變化量、功率因數變化量或驅動時間間距變化量，之後利用電流變化量、實功率變化量、功率因數變化量或驅動時間間距變化量搭配對應之函數進行運算，以求得溫度變化量，進一步加上溫度初始值運算求得該發光二極體之PN接面溫度。由於本發明之測試方法可用於測試各種操作狀態之發光二極體，且本發明可提供誤差小之測試結果。 |
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| 適用產品： |
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| 發光二極體 |
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| IPC： |
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| G01K-007/01(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種發光二極體之PN接面溫度的測試方法，其包含：提供一發光二極體；依據一參考電壓施加至該發光二極體，而建立該發光二極體之一電流-溫度函數；施加一測試電壓至該發光二極體，以取得一起始電流，同時測得該發光二極體之一起始溫度；於該發光二極體達到熱平衡後取得一熱平衡電流；依據該起始電流與該熱平衡電流進行運算，取得該發光二極體於該測試電壓下之一電流變化量；以及依據該發光二極體之該電流-溫度函數、該起始溫度與該電流變化量進行運算，取得該發光二極體之PN接面溫度。 |
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