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發光二極體之PN接面溫度的測試方法 Method for Measuring PN-Junction Temperature of Light-Emitting Diode (LED)
專利名稱 發光二極體之PN接面溫度的測試方法
Method for Measuring PN-Junction Temperature of Light-Emitting Diode (LED)
申請日 (校編號) 2009/01/14  (097029US)
2008/12/02  (097029TW)
專利證書號 7,982,486 美國
I404923 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 林明德、戴光佑、陳志臣、胡凡勳


技術摘要:
本發明提供一種發光二極之PN接面溫度的測試方法,其係利用參考電壓建立發光二極體之電流、實功率、功率因數或驅動時間間距對溫度的函數,以測試取得電流、實功率、功率因數或驅動時間間距之起始數值與熱平衡數值,以取得電流、實功率、功率因數或驅動時間間距的變化量,並結合先前對應之函數取得溫度變化量,藉由溫度變化量與起始溫度之運算求得發光二極體之PN接面溫度。

解決的問題或達成的功效:
本發明係有關於一種溫度測試方法,尤其指一種發光二極體之PN接面溫度的測試方法。

應用領域:
為一種發光二極體之PN接面溫度的測試方法,其步驟包含先提供一發光二極體,之後利用一參考電壓施加於該發光二極體上,以建立電流-溫度、實功率-溫度、功率因數-溫度或驅動時間間距-溫度之函數,然後施加測試電壓至發光二極體,以取得電流變化量、實功率變化量、功率因數變化量或驅動時間間距變化量,之後利用電流變化量、實功率變化量、功率因數變化量或驅動時間間距變化量搭配對應之函數進行運算,以求得溫度變化量,進一步加上溫度初始值運算求得該發光二極體之PN接面溫度。由於本發明之測試方法可用於測試各種操作狀態之發光二極體,且本發明可提供誤差小之測試結果。

適用產品:
發光二極體

IPC:
G01K-007/01(2006.01)

Claim 1:
1.一種發光二極體之PN接面溫度的測試方法,其包含:提供一發光二極體;依據一參考電壓施加至該發光二極體,而建立該發光二極體之一電流-溫度函數;施加一測試電壓至該發光二極體,以取得一起始電流,同時測得該發光二極體之一起始溫度;於該發光二極體達到熱平衡後取得一熱平衡電流;依據該起始電流與該熱平衡電流進行運算,取得該發光二極體於該測試電壓下之一電流變化量;以及依據該發光二極體之該電流-溫度函數、該起始溫度與該電流變化量進行運算,取得該發光二極體之PN接面溫度。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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