累增崩潰光二極體AVALANCHE PHOTODIODE
 專利名稱 |
累增崩潰光二極體 AVALANCHE PHOTODIODE |
| 申請日 (校編號) |
2008/08/07 (097027US) 2008/06/19 (097027TW) |
| 專利證書號 |
7,829,915 美國 I376815 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
許晉瑋、吳衍祥 |
| 技術摘要： |
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| 於目前一般之10Gbit/sec累增崩潰光二極體在低增益操作時(Gain=10,Vbias=0.9Vbr)其主要之頻寬限制係在於二次電洞傳輸時間，並非累增崩潰時間，並且，為了響應度之考量，其空乏區(即吸光區)之厚度也不能大幅減薄以縮短傳輸距離並提升元件速度。故，一般習用者係無法符合使用者於實際使用時之所需。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係有關於一種累增崩潰光二極體(Avalanche Photodiode,APD)，尤指一種將整個傳統結構掺雜極性反轉為n-i-n-i-p，並使用電洞觸發砷化銦鋁(InAlAs)崩潰且適用於高速光纖通信之累增崩潰光二極體。 |
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| 應用領域： |
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| 光通訊 |
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| 適用產品： |
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| 光偵測元件 |
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| IPC： |
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| H01L-031/107(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種累增崩潰光二極體(Avalanche Photodiode,APD)，係包括：一N型歐姆接觸層(Ohmic Contact Layer)，係為n + -型摻雜之第一半導體，用以作為N型電極；一P型歐姆接觸層，係為p + -型摻雜之第二半導體，用以作為P型電極；一電子傳輸層(Transport Layer)，係為無摻雜(Undoped)或n - -型摻雜之第三半導體，並夾置於該N型歐姆接觸層及該P型歐姆接觸層之間，用以降低電容；一第一帶隙漸變層(Graded Bandgap Layer)，係為無摻雜或n - -型摻雜之第四半導體，並夾置於該電子傳輸層及該P型歐姆接觸層之間，用以使寬能隙漸變至窄能隙；一吸光層(Absorption Layer)，係為無摻雜或n - -型摻雜之第五半導體，並夾置於該第一帶隙漸變層及該P型歐姆接觸層之間，用以吸收入射光，並轉換為載子(Carrier)；一第二帶隙漸變層，係為無摻雜或n - -型摻雜之第六半導體，並夾置於該吸光層及該P型歐姆接觸層之間，用以使窄能隙漸變至寬能隙；一累增層(Multiplication Layer)，係為無摻雜之第七半導體，並夾置於該第二帶隙漸變層及該P型歐姆接觸層之間，用以接受載子以累增放大電流；以及一N型電荷層(Charge Layer)，係為n + -型摻雜之第八半導體，並夾置於該第二帶隙漸變層及該累增層之間，用以於偏壓時，集中電場於該累增層；該累增崩潰光二極體之結構(from Top to Bottom)係由上述N型歐姆接觸層、電子傳輸層、第一帶隙漸變層、吸光層、第二帶隙漸變層、N型電荷層、累增層以及P型歐姆接觸層所組成，成為n-i-n-i-p接面之磊晶層結構，並成長於一半絕緣或導電之半導體基板上。 |
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| 相關圖片： |
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