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含有氮化鎵之單晶基板之製造方法 Method for Fabricating Single-Crystalline Substrate Containing Gallium Nitride
專利名稱 含有氮化鎵之單晶基板之製造方法 Method for Fabricating Single-Crystalline Substrate Containing Gallium Nitride
申請日 (校編號) 2008/11/03  (097021US)
2008/09/16  (097021TW)
專利證書號 8,048,786 美國
I378496 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、陳冠廷、劉學興


技術摘要:
本發明係有關於一種含有氮化鎵之單晶基板之製造方法,其步驟包括,首先,於基板上形成複數個含氮化鎵島狀體;以該些含氮化鎵島狀體當遮罩蝕刻基板,形成一凹凸基板;於該凹凸基板上以含氮化鎵之材料進行磊晶製程,使該些含氮化鎵島狀體接合成含有氮化鎵之單晶基板;及分離含有氮化鎵之單晶基板及該凹凸基板,得到含有氮化鎵之單晶基板。本發明可省時並提高製造良率。

解決的問題或達成的功效:
本發明之主要目的,在於提供一種含有氮化鎵之單晶基板之製造方法,其不需使用雷射加熱氮化鎵單晶塊材及基板之介面,故能達到省時且提高製造良率之目的。 本發明之另一目的,在於提供一種含有氮化鎵之單晶基板之製造方法,其能避免氮化鎵晶體成長在矽基板之底部,對矽基板產生應力而造成矽基板的破壞,並進一步讓氮化鎵單晶基板崩裂之缺點。 為達上述所指稱之各目的與功效,本發明係揭露一種含有氮化鎵之單晶基板之製造方法,其步驟包括:(1)於一基板上形成複數個含氮化鎵島狀體;(2)以該些含氮化鎵島狀體當遮罩蝕刻該基板,形成一凹凸基板;(3)於該凹凸基板上以含氮化鎵之材料進行磊晶製程;及(4)移除該基板,以得到含有氮化鎵之單晶基板。

應用領域:
照明設備、螢幕、車用照明

適用產品:
LED

IPC:
H01L-021/20(2006.01);H01L-021/02(2006.01); H01L-021/20(2006.01);H01L-021/02(2006.01);H01L-033/00(2010.01)

Claim 1:
1.一種含有氮化鎵之單晶基板之製造方法,其步驟包括:(1)於一基板上形成複數個含氮化鎵島狀體;(2)以該些含氮化鎵島狀體當遮罩蝕刻該基板,形成一凹凸基板;(3)於該凹凸基板上以含氮化鎵之材料進行磊晶製程;及(4)移除該凹凸基板,以得到一含有氮化鎵之單晶基板。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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