含有氮化鎵之單晶基板之製造方法 Method for Fabricating Single-Crystalline Substrate Containing Gallium Nitride
 專利名稱 |
含有氮化鎵之單晶基板之製造方法 Method for Fabricating Single-Crystalline Substrate Containing Gallium Nitride |
| 申請日 (校編號) |
2008/11/03 (097021US) 2008/09/16 (097021TW) |
| 專利證書號 |
8,048,786 美國 I378496 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
綦振瀛、陳冠廷、劉學興 |
| 技術摘要： |
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| 本發明係有關於一種含有氮化鎵之單晶基板之製造方法，其步驟包括，首先，於基板上形成複數個含氮化鎵島狀體；以該些含氮化鎵島狀體當遮罩蝕刻基板，形成一凹凸基板；於該凹凸基板上以含氮化鎵之材料進行磊晶製程，使該些含氮化鎵島狀體接合成含有氮化鎵之單晶基板；及分離含有氮化鎵之單晶基板及該凹凸基板，得到含有氮化鎵之單晶基板。本發明可省時並提高製造良率。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明之主要目的，在於提供一種含有氮化鎵之單晶基板之製造方法，其不需使用雷射加熱氮化鎵單晶塊材及基板之介面，故能達到省時且提高製造良率之目的。
本發明之另一目的，在於提供一種含有氮化鎵之單晶基板之製造方法，其能避免氮化鎵晶體成長在矽基板之底部，對矽基板產生應力而造成矽基板的破壞，並進一步讓氮化鎵單晶基板崩裂之缺點。
為達上述所指稱之各目的與功效，本發明係揭露一種含有氮化鎵之單晶基板之製造方法，其步驟包括：(1)於一基板上形成複數個含氮化鎵島狀體；(2)以該些含氮化鎵島狀體當遮罩蝕刻該基板，形成一凹凸基板；(3)於該凹凸基板上以含氮化鎵之材料進行磊晶製程；及(4)移除該基板，以得到含有氮化鎵之單晶基板。 |
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| 應用領域： |
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| 照明設備、螢幕、車用照明 |
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| 適用產品： |
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| LED |
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| IPC： |
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| H01L-021/20(2006.01);H01L-021/02(2006.01);
H01L-021/20(2006.01);H01L-021/02(2006.01);H01L-033/00(2010.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種含有氮化鎵之單晶基板之製造方法，其步驟包括：(1)於一基板上形成複數個含氮化鎵島狀體；(2)以該些含氮化鎵島狀體當遮罩蝕刻該基板，形成一凹凸基板；(3)於該凹凸基板上以含氮化鎵之材料進行磊晶製程；及(4)移除該凹凸基板，以得到一含有氮化鎵之單晶基板。 |
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| 聯繫方式 |
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