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技術摘要：

一種發光二極體結構,其包括一基板、一應力降低種子層、一磊晶層、一第一電極以及一第二電極。應力降低種子層配置於基板上,其中此應力降低種子層包括多個群聚,且這些群聚之材料係選自由氮化鋁、氮化鎂、氮化銦所成群組其中之一。磊晶層包含依序堆疊之一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。第一電極配置於暴露出之第一型摻雜半導體層上,且與第一型摻雜半導體層電性連接。第二電極配置於第二型摻雜半導體層上,且與第二型摻雜半導體層電性連接。

解決的問題或達成的功效：

本發明是有關於一種發光二極體結構及其製作方法，且特別是有關於一種利用一應力降低種子層(strain－reducing seed layer)以成長具有低缺陷密度(dislocation density)之發光二極體結構及其製作方法。

應用領域：

適用產品：

IPC：

H01L-033/12(2010.01);
H01L-033/00(2006.01)

Claim 1：

1.一種發光二極體結構，包括：一基板；一應力降低種子層，配置於該基板上，其中該應力降低種子層包括多個群聚，且該些群聚之材料係選自由氮化鋁、氮化鎂、氮化銦所成群組其中之一；一磊晶層，包括：一第一型摻雜半導體層，配置於該應力降低種子層上；一發光層，配置於該第一型摻雜半導體層之部分區域上；以及一第二型摻雜半導體層，配置於該發光層上；一第一電極，配置於未被該發光層所覆蓋之該第一型摻雜半導體層上，且與該第一型摻雜半導體層電性連接；以及一第二電極，配置於該第二型摻雜半導體層上，且與該第二型摻雜半導體層電性連接，其中該第一電極與該第二電極電性絕緣。

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專利名稱	發光二極體結構、光電元件及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE, OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
申請日 (校編號)	2008/05/09 (096047US)
專利證書號	7,833,809 　美國
專利權人	國立中央大學
發明人	郭政煌、賴韋志、郭奇文