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發光二極體結構、光電元件及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE, OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
專利名稱 發光二極體結構、光電元件及其製造方法
LIGHT EMITTING DIODE, OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
申請日 (校編號) 2008/05/09  (096047US)
專利證書號 7,833,809  美國
專利權人 國立中央大學
發明人 郭政煌、賴韋志、郭奇文


技術摘要:
一種發光二極體結構,其包括一基板、一應力降低種子層、一磊晶層、一第一電極以及一第二電極。應力降低種子層配置於基板上,其中此應力降低種子層包括多個群聚,且這些群聚之材料係選自由氮化鋁、氮化鎂、氮化銦所成群組其中之一。磊晶層包含依序堆疊之一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。第一電極配置於暴露出之第一型摻雜半導體層上,且與第一型摻雜半導體層電性連接。第二電極配置於第二型摻雜半導體層上,且與第二型摻雜半導體層電性連接。

解決的問題或達成的功效:
本發明是有關於一種發光二極體結構及其製作方法,且特別是有關於一種利用一應力降低種子層(strain-reducing seed layer)以成長具有低缺陷密度(dislocation density)之發光二極體結構及其製作方法。

應用領域:


適用產品:


IPC:
H01L-033/12(2010.01);
H01L-033/00(2006.01)

Claim 1:
1.一種發光二極體結構,包括:一基板;一應力降低種子層,配置於該基板上,其中該應力降低種子層包括多個群聚,且該些群聚之材料係選自由氮化鋁、氮化鎂、氮化銦所成群組其中之一;一磊晶層,包括:一第一型摻雜半導體層,配置於該應力降低種子層上;一發光層,配置於該第一型摻雜半導體層之部分區域上;以及一第二型摻雜半導體層,配置於該發光層上;一第一電極,配置於未被該發光層所覆蓋之該第一型摻雜半導體層上,且與該第一型摻雜半導體層電性連接;以及一第二電極,配置於該第二型摻雜半導體層上,且與該第二型摻雜半導體層電性連接,其中該第一電極與該第二電極電性絕緣。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
聯繫方式
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電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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