含銻化合物之量子點光電元件 Quantum Dot Optoelectronic Device Having An SB-Containing Overgrown Layer
 專利名稱 |
含銻化合物之量子點光電元件 Quantum dot optoelectronic device having an Sb-containing overgrown layer |
| 申請日 (校編號) |
2006/08/09 (095021US) 2006/06/22 (095021TW) |
| 專利證書號 |
7,456,423 美國 I328291 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
綦振瀛、劉維昇 |
| 技術摘要： |
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| 一種含銻化合物之量子點光電元件，包含磊晶基板、形成於該磊晶基板上之磊晶緩衝層、複數個形成於該磊晶緩衝層上之量子點結構、形成於該量子點結構上之覆蓋層及形成於該覆蓋層上之表面層，上述之覆蓋層含有銻元素，可選自AlxGa1-xNyPmAszSb1-m-y-z、InAlxGa1-xNyPmAszSb1-m-y-z及前述化合物多層組合中擇其一，如此，可提升本發明之量子點光電元件光學特性及熱穩定性，並改善量子點結構磊晶品質及能帶結構。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 目前於砷化鎵基板上研製量子點光電元件，需於砷化鎵基板上成長砷化銦量子點後，覆蓋一層砷化銦鎵或是砷化銦鋁應力緩衝層在量子點上方，以增加量子點之均勻性，並延伸量子點之發光波長。但此法常因砷化銦鎵降低了量子點結構中的載子侷限位能，造成量子點元件特性的熱衰退；或是因為低溫成長的砷化銦鋁其晶體品質不佳，降低了量子點的發光效率。另外，由於在砷化鎵基板上成長砷化銦鎵或是砷化銦鋁等含銦之異質結構，易因為晶格不匹配而產生晶體缺陷，降低量子點光電元件的特性。 本發明之主要目的係在於，提供一具銻化合物之覆蓋層之量子點光電元件，可改善量子點結構磊晶品質及能帶結構，並有效提升元件之光學特性及熱穩定性。 |
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| 應用領域： |
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| 光電元件製程 |
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| 適用產品： |
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| 光電元件 |
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| IPC： |
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| H01L-033/06(2010.01);H01S-005/343(2006.01);H01L-031/0256(2006.01);H01L-029/15(2006.01);
H01L-033/00(2010.01) |
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| Claim 1： |
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| 係將多波長組合式光源組合出之光譜强度*X色彩座標配色函數S(���)*x(���),光譜强度*Y色彩座標配色函數S(���)*y(���),光譜强度*Z色彩座標配色函數S(���)*z(���)光譜分佈的光源,依照順序照射在物體上即為乘上物體反射率R(���)後,由多頻道的光功率計(Power Meter)接收等同於積分,即可求出X、Y、Z値,由於需考慮光功率計在各波長上頻率響應,故用多波長組合式光源分別組合出光譜强度*X色彩座標配色函數/光功率的頻率響應S(���)*x(���)/PM(���),光譜强度*Y色彩座標配色函數/光功率的頻率響應S(���)*y(���)/PM(���),光譜强度*Z色彩座標配色函數/光功率的頻率響應S(���)*z(���)/PM(���)光譜分佈的光源。 |
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| 聯繫方式 |
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