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含銻化合物之量子點光電元件 Quantum Dot Optoelectronic Device Having An SB-Containing Overgrown Layer
專利名稱 含銻化合物之量子點光電元件 Quantum dot optoelectronic device having an Sb-containing overgrown layer
申請日 (校編號) 2006/08/09  (095021US)
2006/06/22  (095021TW)
專利證書號 7,456,423  美國
I328291 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、劉維昇


技術摘要:
一種含銻化合物之量子點光電元件,包含磊晶基板、形成於該磊晶基板上之磊晶緩衝層、複數個形成於該磊晶緩衝層上之量子點結構、形成於該量子點結構上之覆蓋層及形成於該覆蓋層上之表面層,上述之覆蓋層含有銻元素,可選自AlxGa1-xNyPmAszSb1-m-y-z、InAlxGa1-xNyPmAszSb1-m-y-z及前述化合物多層組合中擇其一,如此,可提升本發明之量子點光電元件光學特性及熱穩定性,並改善量子點結構磊晶品質及能帶結構。

解決的問題或達成的功效:
目前於砷化鎵基板上研製量子點光電元件,需於砷化鎵基板上成長砷化銦量子點後,覆蓋一層砷化銦鎵或是砷化銦鋁應力緩衝層在量子點上方,以增加量子點之均勻性,並延伸量子點之發光波長。但此法常因砷化銦鎵降低了量子點結構中的載子侷限位能,造成量子點元件特性的熱衰退;或是因為低溫成長的砷化銦鋁其晶體品質不佳,降低了量子點的發光效率。另外,由於在砷化鎵基板上成長砷化銦鎵或是砷化銦鋁等含銦之異質結構,易因為晶格不匹配而產生晶體缺陷,降低量子點光電元件的特性。 本發明之主要目的係在於,提供一具銻化合物之覆蓋層之量子點光電元件,可改善量子點結構磊晶品質及能帶結構,並有效提升元件之光學特性及熱穩定性。

應用領域:
光電元件製程

適用產品:
光電元件

IPC:
H01L-033/06(2010.01);H01S-005/343(2006.01);H01L-031/0256(2006.01);H01L-029/15(2006.01); H01L-033/00(2010.01)

Claim 1:
係將多波長組合式光源組合出之光譜强度*X色彩座標配色函數S(���)*x(���),光譜强度*Y色彩座標配色函數S(���)*y(���),光譜强度*Z色彩座標配色函數S(���)*z(���)光譜分佈的光源,依照順序照射在物體上即為乘上物體反射率R(���)後,由多頻道的光功率計(Power Meter)接收等同於積分,即可求出X、Y、Z値,由於需考慮光功率計在各波長上頻率響應,故用多波長組合式光源分別組合出光譜强度*X色彩座標配色函數/光功率的頻率響應S(���)*x(���)/PM(���),光譜强度*Y色彩座標配色函數/光功率的頻率響應S(���)*y(���)/PM(���),光譜强度*Z色彩座標配色函數/光功率的頻率響應S(���)*z(���)/PM(���)光譜分佈的光源。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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