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合成高品質碳薄膜或無機材料薄膜之設備與方法 The Facility and method for synthesis of high quality carbon-related and inorganic film
專利名稱 合成高品質碳薄膜或無機材料薄膜之設備與方法
申請日 (校編號) 2014/11/13  (103044TW)
專利證書號 I535887 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 蘇清源、陳佑民


技術摘要:
本發明揭露一種連續式合成高品質碳薄膜或無機材料薄膜之設備,包括:一外腔體,包括一進氣閘門、一出氣閘門;一基材傳送裝置,置於該外腔體內,其中該基材傳送裝置包括一捲出構件、複數個轉動滾筒以及一捲取構件,該基材傳送裝置具有一移動路徑;一具金屬的基材,沿著該移動路徑傳送;一溫控裝置,相對應配置於該基材傳送裝置的上方或下方,當該具金屬的基材通過時,對該具金屬的基材進行加熱作業;一真空系統,與該外腔體連接,將一氣體由該進氣閘門抽入及由該排氣閘門排出;一氣源控制器,與該外腔體連接,控制一製程氣體的供給,其中該製程氣體具有一碳源或無機材料源;以及一加熱單元,靠近該具金屬的基材表面設置,和該具金屬的基材有一相對移動。

解決的問題或達成的功效:
發明提供一種連續式合成高品質碳薄膜或無機材料薄膜之設備,包括一外腔體、一基材傳送裝置、一具金屬的基材、一溫控裝置、一真空系統,以及一氣源控制其中,該外腔體可設有一進氣閘門以及一出氣閘門。該基材傳送裝置設置於該外腔體內,該基材傳送裝置包刮一捲出構件、複數個轉動滾筒以及一捲取構件,且該基材傳送裝置具有一移動路徑。該具金屬的基材 得沿著該移動路徑傳送,而該溫控裝置則相對應配置於該基材傳送裝置的上方或下方,當該具金屬的基材通過時,可對其加熱。

應用領域:
本發明係為一種製備高品質碳薄膜或無機材料薄膜之設備與方法,特別關於一種連續式大面積合成高品質碳薄膜或無機材料薄膜之設備與方法。 

適用產品:
薄膜之設備與方法

IPC:
C23C-016/54(2006.01);C23C-016/22(2006.01);C23C-016/26(2006.01);C23C-016/455(2006.01);C23C-016/513(2006.01)

Claim 1:
1.一一種連續式合成高品質碳薄膜或無機材料薄膜之設備,包括: 一外腔體,包括一進氣閘門、一出氣閘門;  一基材傳送裝置,置於該外腔體內,其中該基材傳送裝置包括一捲出構件、複數個轉動滾筒以及一捲取構件,該基材傳送裝置具有一移動路徑; 一具金屬的基材,沿著該移動路徑傳送; 一溫控裝置,相對應配置於該基材傳送裝置的上方或下方,當該具金屬的基材通過時,對該具金屬的基材進行加熱作業; 一真空系統,與該外腔體連接,將一氣體由該進氣閘門抽入及由該排氣閘門排出; 一氣源控制器,與該外腔體連接,控制一製程氣體的供給,其中該製程氣體具有一碳源或無機材料源;以及 一加熱單元,靠近該具金屬的基材表面設置,和該具金屬的基材有一相對移動。 

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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