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光伏電池矽單晶基板表面粗糙化結構之製造方法 Method for manufacturing the textured surface structures of single-crystalline silicon substrates of photovoltaic cells
專利名稱 單晶矽基板碗狀凹槽結構之製造方法及具有碗狀凹槽結構之單晶矽基板 METHOD FOR MANUFACTURING DISH SHAPE SURFACE STRUCTURES OF SINGLE-CRYSTALLINE SILICON SUBSTRATES AND A SINGLE-CRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE WITH DISH SHAPE SURFACE STRUCTURES
申請日 (校編號) 2013/05/28  (102015TW)
專利證書號 I538043 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 鄭紹良、鍾承軒


技術摘要:
本發明為一種單晶矽基板碗狀凹槽結構之製造方法及具有碗狀凹槽結構之單晶矽基板,製造方法係結合噴砂法在單晶矽基板上表面之全平面產生粗糙化結構,再利用化學溶液蝕刻技術將粗糙化結構蝕刻成為碗狀凹槽結構,藉此製造具有抗反射功效之碗狀凹槽結構,以有效降低單晶矽基板對光線之反射率,達到極低反射之效果,因此完全不需再鍍製抗反射膜,即可使波長為400-800奈米之可見光範圍的光線對單晶矽基板之平均反射率降至小於2%,在高效能矽基(silicon based)太陽能電池之製造具有非常大的應用潛力。

解決的問題或達成的功效:
提供一種碗狀凹槽結構會使入射光產生多重散射(multiple scattering),增強其光捕捉(light trapping)效應;二是由於此碗狀凹槽結構可在空氣與矽晶基材表面提供漸變的折射率,即形成一層所謂具漸變折射率(graded-refractive index)之表面結構,可有效抑制可見光之反射。

應用領域:
單晶矽基板表面粗糙化結構

適用產品:
太陽能電池

IPC:
H01L-021/306(2006.01)

Claim 1:
1.一種單晶矽基板碗狀凹槽結構之製造方法,其包括下列步驟:提供一單晶矽基板,其中該單晶矽基板可分離的固設於堅硬材質所製成之一底板上;進行噴砂,其係對該單晶矽基板進行噴砂,以使該單晶矽基板具有佈滿複數個表面粗糙化結構之一粗糙化表面;進行第一次清洗,其係自該底板取下具有該粗糙化表面之該單晶矽基板並對該單晶矽基板進行超音波震動清洗並除去噴砂步驟所殘留之雜質;進行形成碗狀凹槽結構,其係以一蝕刻溶液對該粗糙化表面進行蝕刻,並使每一該表面粗糙化結構皆形成為一碗狀凹槽結構;以及進行第二次清洗,其係對具有該些碗狀凹槽結構之該單晶矽基板進行超音波震動清洗並除去表面殘留之蝕刻液。

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