高聚光型太陽能電池之鍺磊晶片製作技術研發 Fabrication and study of Ge epitaxial substrates for HCPV solar cells
 專利名稱 |
具有矽鍺磊晶之基板之製造方法Manufacturing method for forming substrate with silicon-germanium epitaxtal layer |
| 申請日 (校編號) |
2013/09/04 (102028TW) |
| 專利證書號 |
I515772 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
李勝偉、張宏臺、李侃融、辛正倫、李佩雯 |
| 技術摘要： |
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| 本發明係關於一種具有矽鍺磊晶層之基板之製造方法，該製造方法包括：提供一第一基板，該第一基板係包括一矽鍺磊晶層以及一矽層，其中，該矽鍺磊晶層矽形成於該矽層上；提供一第二基板，該第二基板係與該第一基板之該矽鍺磊晶層直接接觸；進行一電化學反應，使該第一基板之矽層轉換為一多孔性矽層；以及移除該多孔性矽層。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 提供了一種具有矽鍺磊晶層之基板之製造方法，所形成之矽鍺磊晶層具有緻密、低缺陷、厚度薄(100 nm以下)等特點，且製程簡單，可應用於高載子遷移路之電晶體、金氧半電晶體、三五族半導體之光電元件用之初始材料。 |
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| 應用領域： |
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| 矽鍺磊晶層之基板之製造 |
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| 適用產品： |
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| 電晶體、金氧半電晶體、三五族半導體之光電元件 |
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| IPC： |
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| H01L-021/205(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種具有矽鍺磊晶之基板之製造方法，包括：(A)提供一第一基板，該第一基板係包括一矽鍺磊晶層以及一矽層，其中，該矽鍺磊晶層係形成於該矽層上；提供一第二基板，將該第二基板與該第一基板之該矽鍺磊晶層直接接觸；(B)進行一電化學反應，使該第一基板之該矽層轉換為一多孔性矽層；以及(C)移除該多孔性矽層。 |
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