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高聚光型太陽能電池之鍺磊晶片製作技術研發 Fabrication and study of Ge epitaxial substrates for HCPV solar cells
專利名稱 具有矽鍺磊晶之基板之製造方法Manufacturing method for forming substrate with silicon-germanium epitaxtal layer
申請日 (校編號) 2013/09/04  (102028TW)
專利證書號 I515772 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 李勝偉、張宏臺、李侃融、辛正倫、李佩雯


技術摘要:
本發明係關於一種具有矽鍺磊晶層之基板之製造方法,該製造方法包括:提供一第一基板,該第一基板係包括一矽鍺磊晶層以及一矽層,其中,該矽鍺磊晶層矽形成於該矽層上;提供一第二基板,該第二基板係與該第一基板之該矽鍺磊晶層直接接觸;進行一電化學反應,使該第一基板之矽層轉換為一多孔性矽層;以及移除該多孔性矽層。

解決的問題或達成的功效:
提供了一種具有矽鍺磊晶層之基板之製造方法,所形成之矽鍺磊晶層具有緻密、低缺陷、厚度薄(100 nm以下)等特點,且製程簡單,可應用於高載子遷移路之電晶體、金氧半電晶體、三五族半導體之光電元件用之初始材料。

應用領域:
矽鍺磊晶層之基板之製造

適用產品:
電晶體、金氧半電晶體、三五族半導體之光電元件

IPC:
H01L-021/205(2006.01)

Claim 1:
1.一種具有矽鍺磊晶之基板之製造方法,包括:(A)提供一第一基板,該第一基板係包括一矽鍺磊晶層以及一矽層,其中,該矽鍺磊晶層係形成於該矽層上;提供一第二基板,將該第二基板與該第一基板之該矽鍺磊晶層直接接觸;(B)進行一電化學反應,使該第一基板之該矽層轉換為一多孔性矽層;以及(C)移除該多孔性矽層。

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