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以單一步驟製作一體成型金氧半閘堆疊結構及其元件之方法 i-MOSFET: A novel approach to 「instantly」 generate a MOSFET device in a single, self-aligned, fabrication step
專利名稱 以單一步驟製作一體成型金氧半閘堆疊結構及其元件之方法 i-MOSFET: A novel approach to 「instantly」 generate a MOSFET device in a single, self-aligned, fabrication step
申請日 (校編號) 2015/02/11  (103005US)
2014/07/08  (103005TW)
專利證書號 9,299,796 美國
I531071 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 李佩雯、賴威廷、許庭嘉、楊國慶、廖柏翔、ThomasGeorge


技術摘要:
一種金氧半閘堆疊結構的製造方法,首先,於一矽基板上形成一氮化矽層;接著,於該氮化矽層上形成一包含一與該氮化矽層接觸的矽鍺合金層的奈米柱結構;最後,對該奈米柱結構進行一熱氧化製程,令該矽鍺合金層中的複數鍺原子侵入該氮化矽層形成一接觸該矽基板的矽鍺殼層和一位於該矽鍺殼層之上的鍺奈米球,並由該氮化矽層或部分源自該矽基板中的複數矽原子氧化形成一間隔於該矽鍺殼層與該鍺奈米球之間的間隔層,據而形成一為鍺/二氧化矽/矽鍺的金氧半閘堆疊結構。如此,本發明得以避免矽與鍺之間的互溶現象以及晶格不匹配所致之界面問題。

解決的問題或達成的功效:
An aspect of the invention is to provide a zirconia nanoparticle material. The zirconia nanoparticle material includes a zirconia nanoparticle with carbonate coordinated on a surface of the zirconia nanoparticle. The carbonate is 1 to 10 parts by weight of the zirconia nanoparticle. 

應用領域:
半導體製程、晶圓代工

適用產品:
電子產品

IPC:
H01L-029/78(2006.01);H01L-021/28(2006.01)

Claim 1:
1.一種金氧半閘堆疊結構的製造方法,包含有以下步驟:步驟1:於一矽基板上形成一氮化矽層;步驟2:於該氮化矽層上形成一奈米柱結構,該奈米柱結構包含一與該氮化矽層接觸的矽鍺合金層;步驟3:對該奈米柱結構進行一熱氧化製程,令該矽鍺合金層中的複數鍺原子侵入該氮化矽層形成一接觸該矽基板的矽鍺殼層以及一位於該矽鍺殼層之上的鍺奈米球,並由該氮化矽層分解析出或是部分源自該矽基板中的複數矽原子氧化形成一間隔於該矽鍺殼層與該鍺奈米球之間的間隔層,據而形成一為鍺/二氧化矽/矽鍺的金氧半閘堆疊結構。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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