專利名稱 | 長晶爐之氣流導引裝置GAS FLOW GUIDING DEVICE FOR USE IN CRYSTAL-GROWING FURNACE |
申請日 (校編號) | 2010/12/02 (099043US) 2010/10/15 (099043TW) |
專利證書號 | 8,926,751 美國 I418675 中華民國 |
專利權人 | 國立中央大學 |
發明人 | 陳志臣、鄧應揚、呂中偉、陳學億 |
技術摘要: | ||||||||
本發明主要提供長晶爐一種能夠有效降低雜質濃度,藉以提升晶體品質之氣流導引裝置;所述之氣流導引裝置係包括有:一相對罩設於坩堝外圍的絕熱層、一設於絕熱層上的輸氣管,以及若干設於絕熱層的排氣孔;其中,輸氣管之管口處設有若干呈放射狀配置之導流板,使熔湯之自由表面得以同步接受導引氣流之吹拂作用,而加速將雜質帶離自由表面之速率,以有效降低雜質濃度,藉以提熔湯冷卻固化後之晶體品質。 |
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解決的問題或達成的功效: | ||||||||
有關一種應用於長晶爐之氣流導引裝置,尤指一種可以有效降低雜質濃度之長晶爐氣流導引裝置。 |
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應用領域: | ||||||||
輸氣管之管口處設有若干呈放射狀配置之導流板,其通過輸氣管之氣流即在導流板之作用下,使熔湯之自由表面得以同步接受導引氣流之吹拂作用,達到有效降低雜質濃度之目的,進而提升晶體之品質。 |
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適用產品: | ||||||||
太陽能電池 |
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IPC: | ||||||||
C30B-035/00(2006.01);C30B-011/00(2006.01) |
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Claim 1: | ||||||||
1.一種長晶爐之氣流導引裝置,係包括有:一相對罩設於坩堝外圍的絕熱層、一設於絕熱層上的輸氣管,以及若干設於絕熱層上的排氣孔;其特徵在於:該輸氣管之管口處設有若干呈放射狀配置之導流板,而該輸氣管處設有一用以調節該輸氣管相對高度之高度調節機構;各導流板處設有用以調整導流板角度之角度調整機構。 |
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相關圖片: | ||||||||
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聯繫方式 | ||||||||
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